电池厚度25微米在-40度到+120度温度间进行大于10000次充放电周期
发布时间:2023/1/29 0:48:21 访问次数:114
装在芯膜级封装的薄片电池,其能量和尺寸可用户化,它是专用固态能量技术(ASSET)薄膜氧化锂鈷/氧氮锂磷可充电电池,适合在IC封装上或在IC封装内,不需要再外接电池。
固态电池通常的电压为3.8V,容量从几微安时到几毫安时,取决于所需的占位面积和放电电流。
电池总厚度为25微米,在-40度到 +120度温度间能进行大于10000次充放电周期。因为它能经受住回流焊的温度,所以能和其它的电子元件一起在大批量制造生产线上表面安装。
其它的特性还有:可编晶体频率调整;可编警戒检测;典型输出功率9dBm;
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:25 A Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:40 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:5 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI7892BDP-E3 单位重量:506.600 mg
合成器的频率分辨率大约为200KHz,有全集成的压控振荡器(VCO)。TI的MSP430微控制器中也有代码可用来编程该器件。
带有全集成的压控振荡器(VCO)的整数-N合成器;片上基准振荡器和PLL;线性信号接收强度指示器(RSSI);三线串行接口;所需的外接元件最少;48引脚小型PQFP封装。
四通道热感应IC,和外接的热敏电阻一起,给笔记本电脑,台式计算机,手持设备和其它台式和手提系统提供热管理和过压监视功能。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
装在芯膜级封装的薄片电池,其能量和尺寸可用户化,它是专用固态能量技术(ASSET)薄膜氧化锂鈷/氧氮锂磷可充电电池,适合在IC封装上或在IC封装内,不需要再外接电池。
固态电池通常的电压为3.8V,容量从几微安时到几毫安时,取决于所需的占位面积和放电电流。
电池总厚度为25微米,在-40度到 +120度温度间能进行大于10000次充放电周期。因为它能经受住回流焊的温度,所以能和其它的电子元件一起在大批量制造生产线上表面安装。
其它的特性还有:可编晶体频率调整;可编警戒检测;典型输出功率9dBm;
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:25 A Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:40 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:5 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI7892BDP-E3 单位重量:506.600 mg
合成器的频率分辨率大约为200KHz,有全集成的压控振荡器(VCO)。TI的MSP430微控制器中也有代码可用来编程该器件。
带有全集成的压控振荡器(VCO)的整数-N合成器;片上基准振荡器和PLL;线性信号接收强度指示器(RSSI);三线串行接口;所需的外接元件最少;48引脚小型PQFP封装。
四通道热感应IC,和外接的热敏电阻一起,给笔记本电脑,台式计算机,手持设备和其它台式和手提系统提供热管理和过压监视功能。
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