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超低电压Intel®赛扬处理器在片上有两个高速缓冲存储器256KB

发布时间:2021/10/9 22:10:25 访问次数:317

PIC18FXX8 系列高性能可自编程闪存单片机(带有一个智能CAN 2.0B有源接口),通过了德国通信及系统 (C&S) 组织的测试,证实符合ISO DIS 16845标准。

CAN协议以ISO DIS 16845为规范,取得有关认证证明产品在CAN网络内的互操作性。

获得ISO一致性测试认证表明了我们致力于推动开放式标准的承诺,以帮助客户快速、方便地开发最终产品。Microchip持续不断地提供满足或超过汽车行业网络应用中CAN要求的产品。

通过该项测试,进一步加强了我们在方面的努力成果.

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:35 A Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:32 nC 最小工作温度:- 50 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:39 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI7114DN-T1 单位重量:1 g

和所有Intel嵌入处理器一样,超低电压Intel® 赛扬处理器能支持有更长生命周期的产品。

超低电压Intel® 赛扬处理器和我们的RadiSys*82600芯片组一起能使RadiSys*EPC-6315处理器中间卡每瓦有更吸引人的MIPS。

Intel® 赛扬处理器的引入使EPC-6315能有许多方面的应用,满足客户的散热和性能上的要求。

超低电压Intel® 赛扬处理器在片上有两个高速缓冲存储器256KB,支持100MHz处理器边总线,采用最新的uFCBGA封装。工作电压0.95V,温度范围从0到100度摄氏。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

PIC18FXX8 系列高性能可自编程闪存单片机(带有一个智能CAN 2.0B有源接口),通过了德国通信及系统 (C&S) 组织的测试,证实符合ISO DIS 16845标准。

CAN协议以ISO DIS 16845为规范,取得有关认证证明产品在CAN网络内的互操作性。

获得ISO一致性测试认证表明了我们致力于推动开放式标准的承诺,以帮助客户快速、方便地开发最终产品。Microchip持续不断地提供满足或超过汽车行业网络应用中CAN要求的产品。

通过该项测试,进一步加强了我们在方面的努力成果.

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:35 A Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:32 nC 最小工作温度:- 50 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:39 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI7114DN-T1 单位重量:1 g

和所有Intel嵌入处理器一样,超低电压Intel® 赛扬处理器能支持有更长生命周期的产品。

超低电压Intel® 赛扬处理器和我们的RadiSys*82600芯片组一起能使RadiSys*EPC-6315处理器中间卡每瓦有更吸引人的MIPS。

Intel® 赛扬处理器的引入使EPC-6315能有许多方面的应用,满足客户的散热和性能上的要求。

超低电压Intel® 赛扬处理器在片上有两个高速缓冲存储器256KB,支持100MHz处理器边总线,采用最新的uFCBGA封装。工作电压0.95V,温度范围从0到100度摄氏。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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