PSRAM技术采用有简便SRAM I/O接口的单元DRAM核,因而有更高的密度,每位功耗更低,芯片面积更小。

从功能上来讲，PSRAM用作缓冲器和工作存储器，而NOD闪存则存储数据，操作代码和各种的通信协议。NOR闪存有由用户可配置的区块，以便有更好的性能和灵活性。

因此，非常适合用在需要更低功耗的地方，以延长电池的寿命。

ISSI的MCP解决方案能理想地用在需要高性能低功耗和小占位尺寸的地方，如移动手机，PDA，手持个人计算机，全球定位系统(GPS)，无线调制解调器，双向寻呼机以及手持工业数字设备。

当时序信号不匹配时，这种扩展的可编程性省却了对电路板进行重转、重新装配和重新测试。

MC100EP196接受射极耦合逻辑(ECL)、互补金属氧化半导体(CMOS)和晶体管对晶体管逻辑电路(TTL)，使系统设计人员可直接以微控制器对MC100EP196编程，无须采用特定的编程电路。

MC100EP196与 PECL或NECL模式的正负参考低电压3.0至3.6伏系统均兼容。

所需的延迟由10个可编程数据选择输入端D[0:9]进行选择，这些输入端由锁存使能(LEN)控制的高信号锁存。