内部电流感应高电压SenseFET在设计过程中任意节点信号
发布时间:2021/10/9 12:32:52 访问次数:370
R&S VSESIM-VSS受益于R&S公司用于测试工作电路、模块和设备的两个成熟软件，即 R&S WinIQSIM2软件的信号生成功能和 R&S VSE 软件的信号分析功能。
R&S公司的数据采集插件允许在设计过程中访问任意节点信号，可以将信号送至矢量信号发生器并应用于可用硬件，从而实现对混合硬件/仿真实现的系统级分析。
R&S VSESIM-VSS 的一项重要特色是支持直接数字预失真 (DPD) 技术，在功率放大器开发的仿真阶段就可以验证线性化效果。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 134 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
零件号别名: IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1
单位重量: 4 g
基于FS8S0765RC的设计不仅享有优于离散式MOSFET/控制器或RCC开关转换器解决方案的性能，还具有占用更少电路板空间，及采用各种保护电路达到更高可靠性的优势。
FS8S0765RC的内部特性包括过电压、过负载、过电流和过热关闭保护。
其内部电流感应高电压SenseFET提供650V最小击穿额定电压。FS8S0765RC采用节省空间的TO-220-5L封装。
器件在待机模式下(低于2W@265Vac)可进入间歇工作模式，并通过减小开关损耗，大幅度降低功耗。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
R&S VSESIM-VSS受益于R&S公司用于测试工作电路、模块和设备的两个成熟软件，即 R&S WinIQSIM2软件的信号生成功能和 R&S VSE 软件的信号分析功能。
R&S公司的数据采集插件允许在设计过程中访问任意节点信号，可以将信号送至矢量信号发生器并应用于可用硬件，从而实现对混合硬件/仿真实现的系统级分析。
R&S VSESIM-VSS 的一项重要特色是支持直接数字预失真 (DPD) 技术，在功率放大器开发的仿真阶段就可以验证线性化效果。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 134 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
零件号别名: IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1
单位重量: 4 g
基于FS8S0765RC的设计不仅享有优于离散式MOSFET/控制器或RCC开关转换器解决方案的性能，还具有占用更少电路板空间，及采用各种保护电路达到更高可靠性的优势。
FS8S0765RC的内部特性包括过电压、过负载、过电流和过热关闭保护。
其内部电流感应高电压SenseFET提供650V最小击穿额定电压。FS8S0765RC采用节省空间的TO-220-5L封装。
器件在待机模式下(低于2W@265Vac)可进入间歇工作模式，并通过减小开关损耗，大幅度降低功耗。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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