光纤通道存储局域网的数据传输速率为1Gbps或2Gbps.

在今天,这样的速度对SAN是足够的,但是,下一代的SAN需要更快的光纤通道传输速度,改善互连带宽以减小和消除瓶颈.为了满足这一需要,Broadcom的三种新的存储器件大大地改善了SAN的传输性能,从1Gbps和2Gbps过度到5.25Gbps.

BCM8426目标用在中档到高档存储阵列,是12端口光纤通道仲裁回路集线器,能配置成连接智能集束盘(iBOD)中的光纤通道硬盘驱动.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 120 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 270 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

零件号别名: IPB12N6S4H1XT SP000396274 IPB120N06S4H1ATMA1

单位重量: 4 g

该系列中的所有产品具有Broadcom的先进诊断功能,称作活性信号完整性(Active-SI)和活性连接完整性(Active-LI),能把传输的光纤通道数据的物理层和连接层的损伤信号删除和恢复.

这些器件有内置的先进诊断功能,存储网络大大地改善了可靠性,实用性和适用性(RAS).

耿氏二极管波导振荡器，适用于电子对抗、微波无线电系统、商业通信系统等应用。

Pasternack 新型机械可调谐耿氏二极管波导振荡器涵盖波导规格WR-90、WR-42和WR-28，并支持X、K和Ka波段。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）