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RLD65PZB5大功率输出半导体激光器应用指南和SPICE模型

发布时间:2021/10/6 0:02:14 访问次数:407


对于更快速DVD刻录机,半导体激光器更高输出的需求从2X提高到16X.由Rohm公司开发的RLD65PZB5大功率输出半导体激光器能提供光输出240mW,使16X DVD刻录成为可能.

为了控制输出电流随输出的升高而增加,Rohm采用原始元件设计.这使具有大输出功率和极好热特性成为可能.

RLD65PZB5大功率输出半导体激光器主要特性如下:

输出功率(Po)240mW,

响应时间2ns或更快,

低纵横比(发散角),为1.7

金属封装 发光点 mm)

这种大功率DVD激光器有两种波长,650nm/780nm.

制造商:Infineon产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V最大直流电集电极电流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益带宽产品fT:125 MHz最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C高度:1.6 mm长度:6.5 mm技术:Si宽度:3.5 mm商标:Infineon Technologies集电极连续电流:150 mA产品类型:BJTs - Bipolar Transistors子类别:Transistors单位重量:188 mg制造商:Infineon产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V最大直流电集电极电流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益带宽产品fT:125 MHz最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C高度:1.6 mm长度:6.5 mm技术:Si宽度:3.5 mm商标:Infineon Technologies集电极连续电流:150 mA产品类型:BJTs - Bipolar Transistors子类别:Transistors单位重量:188 mg



RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗(以下称“开通损耗”*3)。

在车载充电器中采用本产品时,与以往IGBT产品相比,损耗可降低67%,与超级结MOSFET(SJ-MOSFET)相比,损耗可降低24%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市场。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



对于更快速DVD刻录机,半导体激光器更高输出的需求从2X提高到16X.由Rohm公司开发的RLD65PZB5大功率输出半导体激光器能提供光输出240mW,使16X DVD刻录成为可能.

为了控制输出电流随输出的升高而增加,Rohm采用原始元件设计.这使具有大输出功率和极好热特性成为可能.

RLD65PZB5大功率输出半导体激光器主要特性如下:

输出功率(Po)240mW,

响应时间2ns或更快,

低纵横比(发散角),为1.7

金属封装 发光点 mm)

这种大功率DVD激光器有两种波长,650nm/780nm.

制造商:Infineon产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V最大直流电集电极电流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益带宽产品fT:125 MHz最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C高度:1.6 mm长度:6.5 mm技术:Si宽度:3.5 mm商标:Infineon Technologies集电极连续电流:150 mA产品类型:BJTs - Bipolar Transistors子类别:Transistors单位重量:188 mg制造商:Infineon产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V集电极—基极电压 VCBO:60 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V最大直流电集电极电流:100 mAPd-功率耗散:1 W增益带宽产品fT:125 MHz最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C高度:1.6 mm长度:6.5 mm技术:Si宽度:3.5 mm商标:Infineon Technologies集电极连续电流:150 mA产品类型:BJTs - Bipolar Transistors子类别:Transistors单位重量:188 mg



RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反馈单元(续流二极管)中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗(以下称“开通损耗”*3)。

在车载充电器中采用本产品时,与以往IGBT产品相比,损耗可降低67%,与超级结MOSFET(SJ-MOSFET)相比,损耗可降低24%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市场。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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