微小化与低精密公差规格需求阻值低至10-20毫欧姆
发布时间:2021/10/5 23:10:17 访问次数:79
最小金属电流感测电阻 - PA0100 (01005尺寸, 0.4mm x 0.2mm)。
国巨公司多年来致力于产品及技术之创新，此新产品的问世突显出其领先业界的研发能力，实现对客户小尺寸需求的承诺。
国巨设计特殊微化技术制程，阻值低至10 ~ 20毫欧姆，可兼备高精度(1%)、低电阻温度系数(TCR 300ppm/°C)、低热电动势(thermal EMF) 等特性。
此外PA0100 jumper作为金属跳线使用，最大额定电流为8安培。
制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:15 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:53 W通道模式:Enhancement商标名:QFET封装:Tube配置:Single高度:16.3 mm长度:10.67 mm系列:FQP20N06晶体管类型:1 N-Channel类型:MOSFET宽度:4.7 mm商标:ON Semiconductor / Fairchild正向跨导 - 最小值:12 S下降时间:20 ns产品类型:MOSFET上升时间:45 ns工厂包装数量:1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:20 ns典型接通延迟时间:5 ns零件号别名:FQP20N06_NL单位重量:2 g
超星光级新产品SC850SL正是思特威在超低照成像技术上的成果展现，除800万4K高分辨率外，Stack BSI+RS架构芯片设计大幅提升了产品的灵敏度与暗光成像性能，同时我们也在不断追求更优异的近红外性能.
机械精密加工工艺已无法满足微小化与低精密公差规格需求，国巨利用半导体多项工艺制程完成开发实现微小化高精密电流感测器,微小尺寸精密公差是此制程的挑战。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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国巨设计特殊微化技术制程，阻值低至10 ~ 20毫欧姆，可兼备高精度(1%)、低电阻温度系数(TCR 300ppm/°C)、低热电动势(thermal EMF) 等特性。
此外PA0100 jumper作为金属跳线使用，最大额定电流为8安培。
制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:20 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:15 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:53 W通道模式:Enhancement商标名:QFET封装:Tube配置:Single高度:16.3 mm长度:10.67 mm系列:FQP20N06晶体管类型:1 N-Channel类型:MOSFET宽度:4.7 mm商标:ON Semiconductor / Fairchild正向跨导 - 最小值:12 S下降时间:20 ns产品类型:MOSFET上升时间:45 ns工厂包装数量:1000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:20 ns典型接通延迟时间:5 ns零件号别名:FQP20N06_NL单位重量:2 g
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机械精密加工工艺已无法满足微小化与低精密公差规格需求，国巨利用半导体多项工艺制程完成开发实现微小化高精密电流感测器,微小尺寸精密公差是此制程的挑战。
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