MT9T001的高速读出和快速自动暴光/自动对焦/取景器模式允许照相机设计者不需要通常DSC中所需的捕获连续图像间的延迟和图像捕获按钮按下的时间延迟.

传感器输出在12fps时是10位RGB,向下兼容Micron的130万和200万像素传感器,使现有的消费者能迅速升级或使新用户用同样的平台便有高质量的照相机.

同时，它还具备丰富打印功能，包括单模式、复制模式、镜像模式、多材料模式及具有工业电源的可溶支持模式，适合日常操作使用。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 125 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 137 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

系列: OptiMOS-P2

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 40 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 140 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

零件号别名: IPD9P3P4L4XT SP000396300 IPD90P03P4L04ATMA1

单位重量: 330 mg

Bourns® PAD00x-T764系列专为简化且保持系统之间的正确通信及进行必要的隔离所开发。3.1 kVAC耐压性可为高压风险（例如高压电池）提供隔离屏障。

设计细节包括：带有铁氧体环形磁芯的结构，有助于确保高耦合系数和更高的效率。变压器绕组强化EMI性能，从而降低电磁散射的干扰。

Bourns® PAD00x-T764系列变压器与德州仪器 (Texas Instruments) SN6501和SN6506B、美信集成 (Maxim) MAX253和MAX845、亚德诺半导体 (Analog Devices) ADM2485，以及相似的变压器驱动器兼容。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）