TPS54350集成了高边的MOSFET和可选择的低边外接MOSFET的栅极驱动器.器件还有高性能的电压误差放大器,它能在瞬变状态下最大化器件的性能以及在选择输出滤波器电感和电容的灵活性.

开关频率可以是固定的250kHz或500kHz或可调至700kHz,以降低无源元件的尺寸.

该产品在6mm × 6mm的40引脚芯片中集成了四个由I2C控制的150mA LED背光驱动器以及一个四输出薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD) 偏置电源，可帮助工程师设计出空间占用更小的汽车仪表板、中控屏和导航显示器。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 22 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 23 ns

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 75 ns

典型接通延迟时间: 19 ns

零件号别名: SP000219067 IPP80N06S2LH5AKSA1

单位重量: 2 g

集成的10Gbps RocketIO X收发器包括可选择的8B/10B或64B/66B编码,20位或16位数据通路,以及20x或16x时钟.

嵌入了8或20通道高性能RocketIO X串行收发器,每通道工作从2.488到10.3125Gbps;20X和16X时钟和数据通路;8B/10B或64B/66B编码;SONETOC-48 抖动兼容.

它还有通道连接,几种有调谐特性的性能,包括有预补偿电路,接收器均衡,差分电压摆幅和片内终止.RocketIO X收发器能适应系统的要求,能通过内部配置端口动态地编程.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）