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双线绕制以提供具有卓越共模噪声抑制的屏蔽结构

发布时间:2021/10/1 9:47:59 访问次数:302

美光生产用于资料储存的NAND记忆体晶片,以及广泛应用在资料中心、PC与其他装置的DRAM记忆体晶片,而今年第三季,两种晶片的销量都可能下滑。

美光执行长Sanjay Mehrotra表示,部分PC客户因为其他记忆体以外的PC零组件短缺,故一併调整原先预计採购的记忆体数量。但是预期几个月内PC客户能解决目前所遭遇到的挑战。

根据Refinitiv分析的IBES,预估美光这一季的营收是76.5亿美元,正负2亿美元,低于分析师的平均预期85.7亿美元。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-100 程序存储器大小:1 MB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:120 MHz 输入/输出端数量:82 I/O 数据 RAM 大小:132 kB 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 数据 ROM 大小:512 B 接口类型:2xCAN, 2xUART, 3xI2C, 3xSPI, 4xUSART, SDIO 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:10 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 程序存储器类型:Flash 工厂包装数量540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.8 V 单位重量:1.319 g

扩展1210小型尺寸车规级共模片状电感器的系列。

全新Bourns® SRF3225TABM及SRF3225TAFD共模片状电感器系列可在广泛的频率范围内提供低辐射和高阻抗,以抑制输入或输出系统的电磁干扰 (EMI)。

新系列滤波器补足了Bourns既有的共模片状电感器产品组合,并支持汽车、工业和其他电子应用中更高数据速率的双总线系统。两款全新小型尺寸Bourns®共模电感器系列采用氧化铁磁芯设计,并用双线绕制,以提供具有卓越共模噪声抑制的屏蔽结构。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

美光生产用于资料储存的NAND记忆体晶片,以及广泛应用在资料中心、PC与其他装置的DRAM记忆体晶片,而今年第三季,两种晶片的销量都可能下滑。

美光执行长Sanjay Mehrotra表示,部分PC客户因为其他记忆体以外的PC零组件短缺,故一併调整原先预计採购的记忆体数量。但是预期几个月内PC客户能解决目前所遭遇到的挑战。

根据Refinitiv分析的IBES,预估美光这一季的营收是76.5亿美元,正负2亿美元,低于分析师的平均预期85.7亿美元。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-100 程序存储器大小:1 MB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:120 MHz 输入/输出端数量:82 I/O 数据 RAM 大小:132 kB 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 数据 ROM 大小:512 B 接口类型:2xCAN, 2xUART, 3xI2C, 3xSPI, 4xUSART, SDIO 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:10 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 程序存储器类型:Flash 工厂包装数量540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.8 V 单位重量:1.319 g

扩展1210小型尺寸车规级共模片状电感器的系列。

全新Bourns® SRF3225TABM及SRF3225TAFD共模片状电感器系列可在广泛的频率范围内提供低辐射和高阻抗,以抑制输入或输出系统的电磁干扰 (EMI)。

新系列滤波器补足了Bourns既有的共模片状电感器产品组合,并支持汽车、工业和其他电子应用中更高数据速率的双总线系统。两款全新小型尺寸Bourns®共模电感器系列采用氧化铁磁芯设计,并用双线绕制,以提供具有卓越共模噪声抑制的屏蔽结构。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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