配备板载栅极驱动器的半桥器件采用了EPC2069 eGaN FET
发布时间:2021/9/29 21:12:15 访问次数:267
内置多重扫描功能和自动感应功能使客户能够使用多个电极同时测量,获得更高灵敏度.
即使在待机模式下也能进行自动触控检测，使客户可更便捷地利用非触接触式控制或接近感应，快速、轻松地进行用户界面开发。
作为瑞萨RX触摸按键MCU产品阵容的一部分，RX140 MCU允许客户为用于各类环境应用开发可靠的高端电容式触控系统，包括微波炉、冰箱和电磁炉等家用电器，以及制造设备、楼宇控制面板，和能够检测表面剩余水量或粉末的设备。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:2.7 A Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V Qg-栅极电荷:1 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Infineon / IR 配置:Single 下降时间:2.9 ns 正向跨导 - 最小值:2.6 S 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 产品类型:MOSFET 上升时间:3.3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:4.5 ns 典型接通延迟时间:4.1 ns 宽度:1.3 mm 零件号别名:IRLML2030TRPBF SP001578662 单位重量:8 mg
与上一代40 V GaN FET相比，这款40 V器件的尺寸更小、寄生电感更小和成本更低，从而让设计师实现更高的性能和成本效益”。
EPC90139开发板的最大器件电压为40 V 、最大输出电流为40 A，配备板载栅极驱动器的半桥器件，采用了EPC2069 eGaN FET。
这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件，让工程师易于评估EPC2069。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
内置多重扫描功能和自动感应功能使客户能够使用多个电极同时测量,获得更高灵敏度.
即使在待机模式下也能进行自动触控检测，使客户可更便捷地利用非触接触式控制或接近感应，快速、轻松地进行用户界面开发。
作为瑞萨RX触摸按键MCU产品阵容的一部分，RX140 MCU允许客户为用于各类环境应用开发可靠的高端电容式触控系统，包括微波炉、冰箱和电磁炉等家用电器，以及制造设备、楼宇控制面板，和能够检测表面剩余水量或粉末的设备。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:2.7 A Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V Qg-栅极电荷:1 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Infineon / IR 配置:Single 下降时间:2.9 ns 正向跨导 - 最小值:2.6 S 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 产品类型:MOSFET 上升时间:3.3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:4.5 ns 典型接通延迟时间:4.1 ns 宽度:1.3 mm 零件号别名:IRLML2030TRPBF SP001578662 单位重量:8 mg
与上一代40 V GaN FET相比，这款40 V器件的尺寸更小、寄生电感更小和成本更低，从而让设计师实现更高的性能和成本效益”。
EPC90139开发板的最大器件电压为40 V 、最大输出电流为40 A，配备板载栅极驱动器的半桥器件，采用了EPC2069 eGaN FET。
这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件，让工程师易于评估EPC2069。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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