晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻
发布时间:2021/9/29 17:51:14 访问次数:92
RDS(on)×COSS(tr)这一FoM则在软开关应用中至关重要,如果将UnitedSiC额定电压为750V的器件与竞争对手额定电压为650V的器件相比,前者的这个值比后者低约30%。
对于硬开关应用,SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。
第4代技术中所包含的其他优势,则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出,同时实现低芯片温升。
制造商: Renesas Electronics
产品种类: 热交换电压控制器
RoHS: 详细信息
电源电压-最大: 20 V
电源电压-最小: 1 V
工作电源电流: 40 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-8
封装: Tube
商标: Renesas / Intersil
高度: 0 mm
长度: 3 mm
产品类型: Hot Swap Voltage Controllers
系列: ISL6146
工厂包装数量: 50
子类别: PMIC - Power Management ICs
宽度: 3 mm
单位重量: 25 mg
为了安全和电流隔离,STMGFS80系列的隔离电压为:输入和RC到输出1500VDC,输入和RC到FG1000 VDC和输出到FG 1000 VDC。
80W STMGFS80系列具有4:1的宽输入电压范围,覆盖24V和48V工业系统。
STMGFS80是对15W STMGFS15和30W STMGFS30的补充,为系统设计人员提供了广泛的选择和可能性。为了简化系统升级,STMGFS80与STMGFS30采用相同的封装尺寸。
STMGFS80系列五年保修,符合欧洲RoHS,REACH和低电压指令。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
RDS(on)×COSS(tr)这一FoM则在软开关应用中至关重要,如果将UnitedSiC额定电压为750V的器件与竞争对手额定电压为650V的器件相比,前者的这个值比后者低约30%。
对于硬开关应用,SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。
第4代技术中所包含的其他优势,则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出,同时实现低芯片温升。
制造商: Renesas Electronics
产品种类: 热交换电压控制器
RoHS: 详细信息
电源电压-最大: 20 V
电源电压-最小: 1 V
工作电源电流: 40 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-8
封装: Tube
商标: Renesas / Intersil
高度: 0 mm
长度: 3 mm
产品类型: Hot Swap Voltage Controllers
系列: ISL6146
工厂包装数量: 50
子类别: PMIC - Power Management ICs
宽度: 3 mm
单位重量: 25 mg
为了安全和电流隔离,STMGFS80系列的隔离电压为:输入和RC到输出1500VDC,输入和RC到FG1000 VDC和输出到FG 1000 VDC。
80W STMGFS80系列具有4:1的宽输入电压范围,覆盖24V和48V工业系统。
STMGFS80是对15W STMGFS15和30W STMGFS30的补充,为系统设计人员提供了广泛的选择和可能性。为了简化系统升级,STMGFS80与STMGFS30采用相同的封装尺寸。
STMGFS80系列五年保修,符合欧洲RoHS,REACH和低电压指令。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)