充电用调整器IC可对应2.3V锂二次电池的充电电压的电压要求，即使考虑到偏差，也可以输出不超过二次电池的上限充电电压。还可将从不充电时的二次电池流到充电IC的吸收电流(sink current)抑制得很小，大大有助于延长电池驱动时间。

CE功能可以关闭稳压器输出,并使IC进入关断状态,在该状态下可以大幅度降低电源电流。

可用的封装阵容包括SSOT-24，USPN-4和USP-6B06，它们非常适合诸如需要高密度安装的移动设备或需要薄型元件的智能卡之类的应用。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 17 A

Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 19 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 107 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 1.2 ns

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.7 ns

系列: XPP17N25

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 7.5 ns

典型接通延迟时间: 4.4 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: SP001025116 IPP17N25S3100AKSA1

单位重量: 2 g

M80 5G调制解调器已按照行业相关标准进行测试.

预计将于2021年向客户送样,M80还集成BWP动态带宽调控技术，自动适配低带宽或高带宽以满足数据吞吐量的不同需求，最大程度优化带宽使用。此外，M80还支持C-DRX节能管理技术，可自动切换激活和休眠状态，保持连接状态的同时降低通信功耗。

同时，MediaTek作为OpenRF联盟的创始成员，将继续协助5G设备制造商通过可互操作的5G射频前端（RFFE）解决方案，加快产品上市进程。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）