eFuse IC旨在替代此类熔断器，为电源线提供保护和安全性，同时在高度精确的过流保护之外，提供一系列内置的保护功能。

TCKE712BNL采用过压保护功能保护电源线，该功能可根据用户要求通过外部电阻器进行调整。同时，它内置关断状态下的反向阻断电流功能，可用于电源多路复用器应用。

此外，它还内置有过流保护、短路保护和热关断功能。该器件还具有FLAG功能，如果电路中发生异常，可以发出外部信号，与东芝当前的产品相比，更容易检测到可能的故障。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 170 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IPP100N06S2L-05 SP001067950

单位重量: 2 g

SiT5008 温度补偿 MEMS 振荡器的特性

SiT5008 是一种小型低功耗 ±2ppm MEMS TCXO，具备以下特性：

10Mhz 至 60MHz 之间的任意频率精度达到小数点后 6 位

±2ppm 至 ±10ppm 的频率稳定性

工作温度 -40 至 +85°C

1.8V 下典型的 3.5mA 低功耗

提供待机模式，延长电池使用寿命

LVCMOS 输出

工业标准型 2.5mm x 2.0mm 封装，100% 引脚兼容石英器件

满足 RoHS 和 REACH 法规要求，不含铅、卤素和锑

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）