驱动电源电压高达20V宽温度范围适用于汽车应用
发布时间:2021/9/25 18:00:12 访问次数:556
STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V，还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管，在驱动 GaN 器件时，可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS)，确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。
自举电路使用同步整流 MOSFET开关管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，从而让驱动器只使用一个电源，而无需低压降稳压器 (LDO)。
产品种类: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-8
系列: ISL83075E
功能: Transceiver
数据速率: 1.6 Mb/s
激励器数量: 1 Driver
接收机数量: 1 Receiver
工作电源电压: 3.3 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
商标: Renesas / Intersil
高度: 0 mm
长度: 3 mm
湿度敏感性: Yes
输出类型: Differential
产品类型: RS-422/RS-485 Interface IC
工厂包装数量: 980
子类别: Interface ICs
宽度: 3 mm
单位重量: 25 mg
转向角位置检测
换档器
制动行程位置传感器
传动系统中的位置检测
加速踏板位置检测
宽供电电压范围：3.0 V至5.5 V (HAR 3900)、3.0 V至18 V (HAR 3930)
-40 °C至160 °C的宽温度范围适用于汽车应用
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V，还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管，在驱动 GaN 器件时，可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS)，确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。
自举电路使用同步整流 MOSFET开关管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，从而让驱动器只使用一个电源，而无需低压降稳压器 (LDO)。
产品种类: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-8
系列: ISL83075E
功能: Transceiver
数据速率: 1.6 Mb/s
激励器数量: 1 Driver
接收机数量: 1 Receiver
工作电源电压: 3.3 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
商标: Renesas / Intersil
高度: 0 mm
长度: 3 mm
湿度敏感性: Yes
输出类型: Differential
产品类型: RS-422/RS-485 Interface IC
工厂包装数量: 980
子类别: Interface ICs
宽度: 3 mm
单位重量: 25 mg
转向角位置检测
换档器
制动行程位置传感器
传动系统中的位置检测
加速踏板位置检测
宽供电电压范围：3.0 V至5.5 V (HAR 3900)、3.0 V至18 V (HAR 3930)
-40 °C至160 °C的宽温度范围适用于汽车应用
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
