750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。

这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。

今天所发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项，额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的方案，同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装的方案。

制造商:NXP产品种类:CAN 接口集成电路RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8系列:TJA1044类型:High Speed数据速率:5 Mb/s激励器数量:1 Driver接收机数量:1 Receiver电源电压-最大:5.25 V电源电压-最小:4.75 V工作电源电流:80 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:NXP Semiconductors高度:1.45 mm长度:5 mm通道数量:1 Channel工作电源电压:4.75 V to 5.25 V产品:CAN Transceivers产品类型:CAN Interface IC传播延迟时间:210 ns工厂包装数量:2500子类别:Interface ICs宽度:4 mm零件号别名:935301676118单位重量:72.156 mg

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。

这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实现高速和低损耗以及高温工作，同时还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动，并具有集成的ESD保护。

RDS(on)×EOSS/QOSS这一FoM在硬开关应用中很重要，第4代SiC FET的这个值是最接近的竞争对手值的一半。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）