新的爱普科斯(EPCOS) 超紧凑型X2电容器，额定工作电压为 275 V AC，容值范围为33 nF ~ 1 μF。

新元件的一大亮点是超紧凑的尺寸，仅为4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nF) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 μF)，具体同样取决于容值。

该型电容器通过UL、EN和IEC 60384-14:2013标准认证，采用阻燃等级为UL 94 V-0的外壳和灌封材料，最高工作温度可达110 °C。

凭借超紧凑尺寸，该符合RoHS规定的新系列电容器广泛适用于各种室内家电和消费类电子产品。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:3.6 A Rds On-漏源导通电阻:103 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:4.8 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Infineon / IR 配置:Single 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.3 mm 零件号别名:IRLML9301TRPBF SP001568914 单位重量:8 mg

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