数字预失真(DPD)技术标准U系列芯片的Chrome OS专用变体
发布时间:2021/9/24 20:31:25 访问次数:818
R&S VSESIM-VSS 结合了这些功能，并为 Cadence 电子设计自动化 (EDA) 工具增加了插件。
R&S公司的数据采集插件允许在设计过程中访问任意节点信号，可以将信号送至矢量信号发生器并应用于可用硬件，从而实现对混合硬件/仿真实现的系统级分析。
R&S VSESIM-VSS 的一项重要特色是支持直接数字预失真 (DPD) 技术，在功率放大器开发的仿真阶段就可以验证线性化效果。
将这些解决方案结合的另一大好处是可以提高R&S公司和 Cadence 工具之间的兼容性。
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 1 Output
输出电流: 21 A
电流限制: 65 A
导通电阻—最大值: 20 mOhms
运行时间—最大值: 200 us
空闲时间—最大值: 250 us
工作电源电压: 4.75 V to 41 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-5
系列: Classic PROFET
资格: AEC-Q100
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 125 W
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 1000
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 41 V
电源电压-最小: 4.75 V
商标名: PROFET
零件号别名: BTS441RG SP000355405
单位重量: 3 g
Athlon 3000和Ryzen 3000芯片进行更新。这些处理器将有一个C的后缀，意味着它们是标准U系列芯片的Chrome OS专用变体。
高端Chromebook越来越受欢迎，Ryzen 3000C就是为了满足这种需求而定制，Athlon 3000C则是为了满足中端需求。当然，A系列依然是针对低端的。
最顶级的是Ryzen 7 3700C，它拥有4个核心和8个线程，TDP为15W，10个Radeon图形核心，由于隶属Ryzen 3000系列，所以是12nm芯片。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
R&S VSESIM-VSS 结合了这些功能，并为 Cadence 电子设计自动化 (EDA) 工具增加了插件。
R&S公司的数据采集插件允许在设计过程中访问任意节点信号，可以将信号送至矢量信号发生器并应用于可用硬件，从而实现对混合硬件/仿真实现的系统级分析。
R&S VSESIM-VSS 的一项重要特色是支持直接数字预失真 (DPD) 技术，在功率放大器开发的仿真阶段就可以验证线性化效果。
将这些解决方案结合的另一大好处是可以提高R&S公司和 Cadence 工具之间的兼容性。
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 1 Output
输出电流: 21 A
电流限制: 65 A
导通电阻—最大值: 20 mOhms
运行时间—最大值: 200 us
空闲时间—最大值: 250 us
工作电源电压: 4.75 V to 41 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-5
系列: Classic PROFET
资格: AEC-Q100
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 125 W
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 1000
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 41 V
电源电压-最小: 4.75 V
商标名: PROFET
零件号别名: BTS441RG SP000355405
单位重量: 3 g
Athlon 3000和Ryzen 3000芯片进行更新。这些处理器将有一个C的后缀，意味着它们是标准U系列芯片的Chrome OS专用变体。
高端Chromebook越来越受欢迎，Ryzen 3000C就是为了满足这种需求而定制，Athlon 3000C则是为了满足中端需求。当然，A系列依然是针对低端的。
最顶级的是Ryzen 7 3700C，它拥有4个核心和8个线程，TDP为15W，10个Radeon图形核心，由于隶属Ryzen 3000系列，所以是12nm芯片。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
