反向阻断二极管和电源引脚齐纳箝位单芯片解决方案
发布时间:2021/9/23 23:47:37 访问次数:606
Diodes 采用先进的斩波器稳定设计，在 2.7V 至 27V 的操作电压及 -40˚C 至 +150˚C 的温度范围内，磁性操作点与释放点 (BOP/BRP) 具有绝佳的稳定性。
这种稳定性，加上 8kV 的高 ESD 额定值、内建反向阻断二极管和电源引脚齐纳箝位，使得 AH32xxQ 系列能够满足汽车近接/位置感测产品应用的严苛要求。
所有 AH32xxQ 装置皆采用 SC59 封装。符合 AEC-Q100 等级规范，由 IATF 16949 认证的设施制造，并支持 PPAP 文件。
制造商:Nichicon产品种类:铝电解电容器 - 径向引线型RoHS: 产品:Low Impedance Electrolytic Capacitors端接类型:Radial电容:100 uF电压额定值 DC:16 VDC最大工作温度:+ 105 C直径:5 mm引线间隔:2 mm长度:11 mm寿命:5000 Hour容差:20 %纹波电流:360 mA最小工作温度:- 40 C引线类型:Straight系列:封装:Ammo Pack商标:Nichicon损耗因数 DF:0.15封装 / 箱体:5 mm x 11 mm产品类型:Electrolytic Capacitors2000子类别:Capacitors类型:Aluminium Electrolytic Capacitors
氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和集成电路具备快速开关、小尺寸和低成本等优势，以满足前沿计算应用对功率密度的严格要求。
EPC9151是很好的范例，它展示如何利用集成功率级EPC2152，满足计算应用中48 V转换所要求的提高功率密度并降低系统成本。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Diodes 采用先进的斩波器稳定设计，在 2.7V 至 27V 的操作电压及 -40˚C 至 +150˚C 的温度范围内，磁性操作点与释放点 (BOP/BRP) 具有绝佳的稳定性。
这种稳定性，加上 8kV 的高 ESD 额定值、内建反向阻断二极管和电源引脚齐纳箝位，使得 AH32xxQ 系列能够满足汽车近接/位置感测产品应用的严苛要求。
所有 AH32xxQ 装置皆采用 SC59 封装。符合 AEC-Q100 等级规范，由 IATF 16949 认证的设施制造，并支持 PPAP 文件。
制造商:Nichicon产品种类:铝电解电容器 - 径向引线型RoHS: 产品:Low Impedance Electrolytic Capacitors端接类型:Radial电容:100 uF电压额定值 DC:16 VDC最大工作温度:+ 105 C直径:5 mm引线间隔:2 mm长度:11 mm寿命:5000 Hour容差:20 %纹波电流:360 mA最小工作温度:- 40 C引线类型:Straight系列:封装:Ammo Pack商标:Nichicon损耗因数 DF:0.15封装 / 箱体:5 mm x 11 mm产品类型:Electrolytic Capacitors2000子类别:Capacitors类型:Aluminium Electrolytic Capacitors
氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和集成电路具备快速开关、小尺寸和低成本等优势，以满足前沿计算应用对功率密度的严格要求。
EPC9151是很好的范例，它展示如何利用集成功率级EPC2152，满足计算应用中48 V转换所要求的提高功率密度并降低系统成本。
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