增强型硅上GaN功率晶体管提供大于100Mhz的超高频率开关
发布时间:2021/9/21 23:30:48 访问次数:292
这些器件配有底部冷却装置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低电感GaNPX®封装，提供大于100 Mhz的超高频率开关、快速且可控制的下降和上升时间、反向电流能力等等。
我们很高兴继续为需要最高可靠性的航空等应用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我们相信，这些新器件更小的封装将使从事最高功率密度项目设计的客户真正受益。
TDG650E15B和TDG650E30B均为增强型硅上GaN功率晶体管，可实现大电流、高压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结壳(junction-to-case)热阻。
内部集成ASIC提供自动校准、数据上报，以及I2C接口用于数据输出和器件配置。这使它可以非常容易地集成到几乎任何应用中，它的低功耗也使它可以在电池供电的设备中使用。
新组件的结构也要求高精度对齐，TDK 的高速自动化技术转移激光芯片，可在高速、高精 度下对齐芯片，并将芯片粘到 PLC 上。
TDK 的超小型全彩激光模块还可以运用到许多应用上，而我们的高速制造工艺也将为该模 块的使用提供支持。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
这些器件配有底部冷却装置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低电感GaN®封装，提供大于100 Mhz的超高频率开关、快速且可控制的下降和上升时间、反向电流能力等等。
我们很高兴继续为需要最高可靠性的航空等应用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我们相信，这些新器件更小的封装将使从事最高功率密度项目设计的客户真正受益。
TDG650E15B和TDG650E30B均为增强型硅上GaN功率晶体管，可实现大电流、高压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结壳(junction-to-case)热阻。
内部集成ASIC提供自动校准、数据上报，以及I2C接口用于数据输出和器件配置。这使它可以非常容易地集成到几乎任何应用中，它的低功耗也使它可以在电池供电的设备中使用。
新组件的结构也要求高精度对齐，TDK 的高速自动化技术转移激光芯片，可在高速、高精 度下对齐芯片，并将芯片粘到 PLC 上。
TDK 的超小型全彩激光模块还可以运用到许多应用上，而我们的高速制造工艺也将为该模 块的使用提供支持。
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