电池管理系统(BMS)进行冗余监测极低的Qrr品质因数
发布时间:2021/9/20 12:11:25 访问次数:632
NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。
鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资全球制造工厂以提高产能，包括曼彻斯特和菲律宾的MOSFET生产设备，这对买方来讲一个好消息。
这些MOSFET非常适合各种开关应用，也可以替代其他供应商的产品。
产品种类: 16位微控制器 - MCU
RoHS: 详细信息
系列: MSP430G2303
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-28
核心: MSP430
程序存储器大小: 4 kB
数据总线宽度: 16 bit
ADC分辨率: 10 bit
最大时钟频率: 16 MHz
输入/输出端数量: 24 I/O
数据 RAM 大小: 256 B
工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
计时器/计数器数量: 2 Timer
处理器系列: 2 Series
产品类型: 16-bit Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 2000
子类别: Microcontrollers - MCU
商标名: MSP430
看门狗计时器: No Watchdog Timer
单位重量: 403 mg
这两款传感器芯片通过热漂移最小化，将电压偏移控制在 +/-5mV 以内，灵敏度控制在 +/-1% 以内，可确保在宽温度范围内的精度。
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100 V器件为7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。
鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资全球制造工厂以提高产能，包括曼彻斯特和菲律宾的MOSFET生产设备，这对买方来讲一个好消息。
这些MOSFET非常适合各种开关应用，也可以替代其他供应商的产品。
产品种类: 16位微控制器 - MCU
RoHS: 详细信息
系列: MSP430G2303
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-28
核心: MSP430
程序存储器大小: 4 kB
数据总线宽度: 16 bit
ADC分辨率: 10 bit
最大时钟频率: 16 MHz
输入/输出端数量: 24 I/O
数据 RAM 大小: 256 B
工作电源电压: 1.8 V to 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
计时器/计数器数量: 2 Timer
处理器系列: 2 Series
产品类型: 16-bit Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 2000
子类别: Microcontrollers - MCU
商标名: MSP430
看门狗计时器: No Watchdog Timer
单位重量: 403 mg
这两款传感器芯片通过热漂移最小化，将电压偏移控制在 +/-5mV 以内，灵敏度控制在 +/-1% 以内，可确保在宽温度范围内的精度。
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100 V器件为7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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- 4-26前置放大器电路集成在用作红外滤波器单体环氧树脂封装中
- 4-26功率的电能电压越高电流越小传输线上的功率损耗越小
公网安备44030402000607
