ROHM充分利用自有的垂直统合型生产体制和模拟设计技术优势，从2017年开始开发EMARMOUR™系列，该系列的产品具有非常出色的抗干扰性能，有助于减轻降噪设计负担，在车载和工业设备市场获得了高度好评。

以出色的抗干扰性能著称的EMARMOUR™系列的开发初衷，是为了在应用产品中无需采取特别措施也可防止产品因噪声干扰而误动作。

其中，此次的新产品在国际通行的4种抗扰度评估测试中均实现超强性能。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 170 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IPP100N06S2L-05 SP001067950

单位重量: 2 g

在230 Vac电源输入下，基于 NCP1680 的 PFC 电路能够在 300 W实现近 99% 的能效。

在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱 PFC，从而节省空间和器件成本。 进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。

根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器一起使用。

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