3kV版本的特点是，开关和线圈引脚之间的间隙更大，可适应更高的电压。此外，还可应要求提供电压更高的干簧开关。

另外，这个系列的继电器还具有内部mu-metal磁性屏蔽功能，以避免由于紧密排布产生磁相互作用而导致的问题。

SAMXD提供两种起动力（5.3N和6N）和两种起动手柄位置（左和中）。此外, 起动手柄还有两种外形, 方形和圆形。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 120 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 167 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 278 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 50 ns

正向跨导 - 最小值: -

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IPP120N08S4-03 SP000989106

单位重量: 2 g

MAX98396 D/G类放大器旨在满足下一代智能和无线扬声器的需求.用于支持高分辨率音频设备的扬声器放大器需要具备超低噪声,终端用户可以将其放置在床边等安静环境下。

00HV系列提供三种类型的干簧开关，可承受 1.5kVdc、2 kVdc 或 3kVdc 的截止电压。

新款耐高压单列直插SIL/SIP 舌簧继电器在一个封装内提供一个或两个开关，且提供 1 Form A、2 Form A 和 1 Form B 三种配置选择。

另外，还提供5V、12V 或 24V 三种线圈电压选择，且可以选配内部二极管。

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