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STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大检测到移动对象

发布时间:2021/9/16 23:20:29 访问次数:99

两款传感器是索尼和 Prophesee 之间进行合作研发的,可以实现高速度、高精度的数据采集,并有助于提高工业设备的生产率。

集合所有这些优势,以确保在不同环境和情况下立即检测到移动对象。

这些传感器配备Prophesee开发的事件过滤功能,用于消除不必要的事件数据,使其适用于各类应用。

使用这些过滤器有助于消除不应被当前识别任务抓取的事件,例如在特定频率下可能发生的 LED 闪烁(抗闪烁),以及极不可能是移动对象轮廓的事件。

制造商:Infineon产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 详细信息封装:Reel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:1000子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:SAK-TC397XP-256F300S BC SP002739600单位重量:5.477 g制造商:Infineon产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 详细信息封装:Reel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:1000子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:SAK-TC397XP-256F300S BC SP002739600单位重量:5.477 g制造商:Infineon产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 详细信息封装:Reel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:1000子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:SAK-TC397XP-256F300S BC SP002739600单位重量:5.477 g

STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大,高低边输出信号传播延迟相同,都是45ns,能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V,还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管,在驱动 GaN 器件时,可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS),确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。

堆叠式事件监测视觉传感器。这种产品专为工业设备设计,能够专注于监测物体特定变化,且实现了同类产品中业界最小的 4.86μm 像素尺寸。

(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


两款传感器是索尼和 Prophesee 之间进行合作研发的,可以实现高速度、高精度的数据采集,并有助于提高工业设备的生产率。

集合所有这些优势,以确保在不同环境和情况下立即检测到移动对象。

这些传感器配备Prophesee开发的事件过滤功能,用于消除不必要的事件数据,使其适用于各类应用。

使用这些过滤器有助于消除不应被当前识别任务抓取的事件,例如在特定频率下可能发生的 LED 闪烁(抗闪烁),以及极不可能是移动对象轮廓的事件。

制造商:Infineon产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 详细信息封装:Reel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:1000子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:SAK-TC397XP-256F300S BC SP002739600单位重量:5.477 g制造商:Infineon产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 详细信息封装:Reel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:1000子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:SAK-TC397XP-256F300S BC SP002739600单位重量:5.477 g制造商:Infineon产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 详细信息封装:Reel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:1000子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:SAK-TC397XP-256F300S BC SP002739600单位重量:5.477 g

STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大,高低边输出信号传播延迟相同,都是45ns,能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V,还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管,在驱动 GaN 器件时,可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS),确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。

堆叠式事件监测视觉传感器。这种产品专为工业设备设计,能够专注于监测物体特定变化,且实现了同类产品中业界最小的 4.86μm 像素尺寸。

(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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