电源模块支持电压范围碳化硅MOSFET和IGBT的600V到1200V
发布时间:2021/9/14 12:33:30 访问次数:350
VPX3-TL 系列经过SWaP优化，包括高达 64GB的DDR4-2666 板载 ECC SDRAM内存；2个10GBASE-KR 或 1GBASE-KX以太网络。
1个PCIe x8 Gen3的XMC 扩展槽I/O至P2口；USB 3.0 和 SATA III（原 SATA 6Gb/s）等高传输量的接口。另外，可选配高达1TB容量的M.2固态硬盘SSD作为二级储存。
该处理器刀片采用英特尔® RM590E 芯片组，具有统一可扩展固件接口（UEFI）的安全启动和双 256Mbit SPI 闪存，支持 Microsoft® Windows® 10、Linux® 和 VxWorks® 7等操作系统。
产品种类: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-10
系列: ISL83086E
功能: Transceiver
数据速率: 15 Mb/s
激励器数量: 1 Driver
接收机数量: 1 Receiver
工作电源电压: 5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
商标: Renesas / Intersil
高度: 0.85 mm
长度: 3 mm
湿度敏感性: Yes
输出类型: Differential
产品类型: RS-422/RS-485 Interface IC
工厂包装数量: 980
子类别: Interface ICs
宽度: 3 mm
单位重量: 26 mg
BL1、BL2和BL3系列的封装可提供100W到10 KW以上功率，有许多拓扑结构供选择，包括相位脚、全桥、不对称桥、升压、降压和双共源。
这些高可靠性电源模块支持的电压范围从碳化硅MOSFET和IGBT的600V到1200V，直至整流二极管的1600V。
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
V3-TL 系列经过SWaP优化，包括高达 64GB的DDR4-2666 板载 ECC SDRAM内存；2个10GBASE-KR 或 1GBASE-KX以太网络。
1个PCIe x8 Gen3的XMC 扩展槽I/O至P2口；USB 3.0 和 SATA III（原 SATA 6Gb/s）等高传输量的接口。另外，可选配高达1TB容量的M.2固态硬盘SSD作为二级储存。
该处理器刀片采用英特尔® RM590E 芯片组，具有统一可扩展固件接口（UEFI）的安全启动和双 256Mbit SPI 闪存，支持 Microsoft® Windows® 10、Linux® 和 VxWorks® 7等操作系统。
产品种类: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-10
系列: ISL83086E
功能: Transceiver
数据速率: 15 Mb/s
激励器数量: 1 Driver
接收机数量: 1 Receiver
工作电源电压: 5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
商标: Renesas / Intersil
高度: 0.85 mm
长度: 3 mm
湿度敏感性: Yes
输出类型: Differential
产品类型: RS-422/RS-485 Interface IC
工厂包装数量: 980
子类别: Interface ICs
宽度: 3 mm
单位重量: 26 mg
BL1、BL2和BL3系列的封装可提供100W到10 KW以上功率，有许多拓扑结构供选择，包括相位脚、全桥、不对称桥、升压、降压和双共源。
这些高可靠性电源模块支持的电压范围从碳化硅MOSFET和IGBT的600V到1200V，直至整流二极管的1600V。
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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公网安备44030402000607
