NCP51561是分别具有4.5A源电流和9A沉峰值电流的隔离双路栅极驱动器,电流隔离为5 kVrms.

设计用来开速开关驱动功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶体管.器件提供短和匹配的传输时延.从输入到每个输出的电流隔离为5 kVrms,而两个输出驱动器间的内部功能隔离允许工作电压高达1500VDC.该驱动器可配置成两个低边,两个高边开关或带可编死区时间的半桥驱动器.

两个输出驱动器具有独立的UVLO保护,输出电源电压从9.5V到30V,8V为MOSFET,17V UVLO为SiC阈值.共模瞬态免疫度CMTI大于200 V/ns.

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:202 A Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:160 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:333 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 商标:Infineon / IR 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 产品类型:MOSFET 工厂包装数量50 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 零件号别名:IRF1404PBF SP001561374 单位重量:2 g

碳化硅肖特基势垒二极管非常适用于工业、能源生产和能源分配/存储的各种AC/DC和DC/DC电源转换器，包括：

工业开关模式电源

不间断电源

电池充电器

太阳能逆变器

工业电机驱动器

高速整流器

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