嵌入乘法器区块有可级联一个18x18或两个9x9乘法器模式
发布时间:2021/9/13 8:28:18 访问次数:795
RG200U采用四天线设计，在保证空口性能的基础上，可为客户终端设计节约更多空间及经济成本。
Exynos 处理器--Exynos W920，是为可穿戴设备量身定做的。它是三年前与初代 Galaxy Watch 一起发布的 Exynos 9110 芯片的继任者。
这款新的 Exynos 处理器采用了目前可穿戴设备领域中最小的封装 —— 扇出型面板级封装（FO-LP）。
Exynos W920 将于明天在 Galaxy Watch 4 和 Galaxy Watch 4 Classic 中首次亮相。在比上一代产品更省电的同时，新的 Exynos W920 芯片保证了更快的性能。
制造商:Renesas Electronics产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:程序存储器大小:512 kB数据 RAM 大小:48 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:10 bit, 12 bit最大时钟频率:100 MHz输入/输出端数量:57 I/O工作电源电压:5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray商标:Renesas ElectronicsDAC分辨率:10 bit数据 Ram 类型:SRAM高度:1.7 mm接口类型:CAN, I2C, SCI, USB长度:14 mm湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel处理器系列:RX63T产品:MCU产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU程序存储器类型:Flash90子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4 V看门狗计时器:Watchdog Timer宽度:14 mm单位重量:600 mg
有了 Exynos W920，未来的可穿戴设备将能够运行具有视觉吸引力的用户界面 UI 和更灵敏的用户体验的应用程序，同时通过快速的 LTE 让你在旅途中保持联系。
器件的核架构采用逻辑单元(LE)-四输入查找表(LUT)和寄存器,所有LE间丰富的路经/金属互连.
时钟网络包括驱动整个器件的全局时钟,和能驱动多达20个全局时钟的15个专用时钟引脚.有多达4个通用PLL,提供鲁棒的时钟管理和同步.
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
RG200U采用四天线设计，在保证空口性能的基础上，可为客户终端设计节约更多空间及经济成本。
Exynos 处理器--Exynos W920，是为可穿戴设备量身定做的。它是三年前与初代 Galaxy Watch 一起发布的 Exynos 9110 芯片的继任者。
这款新的 Exynos 处理器采用了目前可穿戴设备领域中最小的封装 —— 扇出型面板级封装（FO-LP）。
Exynos W920 将于明天在 Galaxy Watch 4 和 Galaxy Watch 4 Classic 中首次亮相。在比上一代产品更省电的同时，新的 Exynos W920 芯片保证了更快的性能。
制造商:Renesas Electronics产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:程序存储器大小:512 kB数据 RAM 大小:48 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:10 bit, 12 bit最大时钟频率:100 MHz输入/输出端数量:57 I/O工作电源电压:5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray商标:Renesas ElectronicsDAC分辨率:10 bit数据 Ram 类型:SRAM高度:1.7 mm接口类型:CAN, I2C, SCI, USB长度:14 mm湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel处理器系列:RX63T产品:MCU产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU程序存储器类型:Flash90子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:4 V看门狗计时器:Watchdog Timer宽度:14 mm单位重量:600 mg
有了 Exynos W920，未来的可穿戴设备将能够运行具有视觉吸引力的用户界面 UI 和更灵敏的用户体验的应用程序，同时通过快速的 LTE 让你在旅途中保持联系。
器件的核架构采用逻辑单元(LE)-四输入查找表(LUT)和寄存器,所有LE间丰富的路经/金属互连.
时钟网络包括驱动整个器件的全局时钟,和能驱动多达20个全局时钟的15个专用时钟引脚.有多达4个通用PLL,提供鲁棒的时钟管理和同步.
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
