28V/32V共源N沟道增强式横向扩散氧化物场效应射频功率晶体管
发布时间:2021/9/11 21:17:11 访问次数:229
STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。
STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短导通沟道和高击穿电压，这些特点使射频功率放大解决方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。
新的STPOWER LDMOS IDCH和IDDE两个系列是28V/32V共源N沟道增强式横向扩散金属氧化物场效应射频功率晶体管，扩大了产品的目标应用范围。
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 2 Output
电流限制: 250 mA
导通电阻—最大值: 800 mOhms
运行时间—最大值: 100 us
空闲时间—最大值: 140 us
工作电源电压: 4.9 V to 42 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSON-10
系列: Industrial PROFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 1.7 W
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 5000
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 42 V
电源电压-最小: 4.9 V
商标名: PROFET
零件号别名: ITS42K5DLDF SP000991730
单位重量: 5.790 g
WM-BZ-ST-55双核蓝牙5.0天线封装模块尺寸为7.2 x 9.3 x 0.96毫米，整合意法半导体的STM32L4 Arm® Cortex®-M4 MCU的功能与Cortex-M0 +专用内核來管理射频芯片。
WM-BZ-ST-55双核蓝牙5.0天线封装模块除了采用先进的微小化技术之外，在模块设计初始即导入计算机辅助仿真软件，针对天线效率(Efficiency)，场型(Radiation pattern)和增益(Gain)都做了完整的仿真，简化了设计周期，是一款能完全符合客户规格需求的模块。
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。
STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短导通沟道和高击穿电压，这些特点使射频功率放大解决方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。
新的STPOWER LDMOS IDCH和IDDE两个系列是28V/32V共源N沟道增强式横向扩散金属氧化物场效应射频功率晶体管，扩大了产品的目标应用范围。
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 2 Output
电流限制: 250 mA
导通电阻—最大值: 800 mOhms
运行时间—最大值: 100 us
空闲时间—最大值: 140 us
工作电源电压: 4.9 V to 42 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSON-10
系列: Industrial PROFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 1.7 W
产品: Power Switches
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 5000
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 42 V
电源电压-最小: 4.9 V
商标名: PROFET
零件号别名: ITS42K5DLDF SP000991730
单位重量: 5.790 g
WM-BZ-ST-55双核蓝牙5.0天线封装模块尺寸为7.2 x 9.3 x 0.96毫米，整合意法半导体的STM32L4 Arm® Cortex®-M4 MCU的功能与Cortex-M0 +专用内核來管理射频芯片。
WM-BZ-ST-55双核蓝牙5.0天线封装模块除了采用先进的微小化技术之外，在模块设计初始即导入计算机辅助仿真软件，针对天线效率(Efficiency)，场型(Radiation pattern)和增益(Gain)都做了完整的仿真，简化了设计周期，是一款能完全符合客户规格需求的模块。
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
公网安备44030402000607
