双路和级联两级低噪音放大器(LNA)和大功率硅单刀双掷(SPDT)开关
发布时间:2021/9/10 12:31:27 访问次数:621
ADRF5515A是双路集成了RF,前端多芯片模块,设计用于时分复用(TDD)应用.器件工作频率从3.3GHz到4.0GHz.器件可配置成双路和级联两级低噪音放大器(LNA)和大功率硅单刀双掷(SPDT)开关.
在高增益模式,级联的两级LNA和开关提供低噪音1.05dB和3.6GHz时的高增益36dB,而输出三阶交调截取点(OIP3)为35dBm(典型值).
在低增益模式,两级LNA的一级处于旁通,在低电流48mA时提供17dB增益.
制造商:NJR 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DMP-8 通道数量:1 Channel 电源电压-最大:16 V GBP-增益带宽产品:400 kHz SR - 转换速率 :400 mV/us Vos - 输入偏置电压 :2 mV 电源电压-最小:3 V 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 75 C Ib - 输入偏流:1 pA 工作电源电流:300 uA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:60 dB 系列: 封装:Reel 放大器类型:General Purpose Amplifier 商标:NJR 高度:1.6 mm 长度:5 mm 工作电源电压:3 V to 16 V Pd-功率耗散:300 mW 产品:Operational Amplifiers 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 2000 子类别:Amplifier ICs 电源类型:Single 技术:CMOS 商标名: 电压增益 dB:95 dB 宽度:5 mm
在降功耗模式,LNA关断,器件仅消耗13mA电流.在发送工作,当RF输入连接端引脚(TERM-CHA或TERM-CHB),开关提供低插入损耗0.5dB,在整个生命周期工作中处理长期演进技术(LTE)平均功率43dBm(9dB峰值到平均比(PAR)).
器件是RoHS兼容,采用紧凑6mmx6mm 40引脚LFCSP封装.主要用在无线通信基础设备,TDD大规模多输入多输出有源天线系统以及基于TDD的通信系统.
这其中包括了高压电源的安全距离限制和绝缘限制,因此也使得AC/DC电源的功率密度提升变得困难。
(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
ADRF5515A是双路集成了RF,前端多芯片模块,设计用于时分复用(TDD)应用.器件工作频率从3.3GHz到4.0GHz.器件可配置成双路和级联两级低噪音放大器(LNA)和大功率硅单刀双掷(SPDT)开关.
在高增益模式,级联的两级LNA和开关提供低噪音1.05dB和3.6GHz时的高增益36dB,而输出三阶交调截取点(OIP3)为35dBm(典型值).
在低增益模式,两级LNA的一级处于旁通,在低电流48mA时提供17dB增益.
制造商:NJR 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DMP-8 通道数量:1 Channel 电源电压-最大:16 V GBP-增益带宽产品:400 kHz SR - 转换速率 :400 mV/us Vos - 输入偏置电压 :2 mV 电源电压-最小:3 V 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 75 C Ib - 输入偏流:1 pA 工作电源电流:300 uA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:60 dB 系列: 封装:Reel 放大器类型:General Purpose Amplifier 商标:NJR 高度:1.6 mm 长度:5 mm 工作电源电压:3 V to 16 V Pd-功率耗散:300 mW 产品:Operational Amplifiers 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 2000 子类别:Amplifier ICs 电源类型:Single 技术:CMOS 商标名: 电压增益 dB:95 dB 宽度:5 mm
在降功耗模式,LNA关断,器件仅消耗13mA电流.在发送工作,当RF输入连接端引脚(TERM-CHA或TERM-CHB),开关提供低插入损耗0.5dB,在整个生命周期工作中处理长期演进技术(LTE)平均功率43dBm(9dB峰值到平均比(PAR)).
器件是RoHS兼容,采用紧凑6mmx6mm 40引脚LFCSP封装.主要用在无线通信基础设备,TDD大规模多输入多输出有源天线系统以及基于TDD的通信系统.
这其中包括了高压电源的安全距离限制和绝缘限制,因此也使得AC/DC电源的功率密度提升变得困难。
(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)