新的集成功率系统封装使电源尺寸比基于硅的设计缩小80%
发布时间:2021/9/8 13:02:14 访问次数:150
因为GaN晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小 80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。
MasterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻值(Rds(on))不相等，分别为225mΩ和 450mΩ,使其适用于软开关和有源整流变换器。
在MasterGaN5中,两个晶体管的导通电阻值(Rds(on))都是450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。
微处理器子系统具有64位RV64GC Quad应用处理器核,Fmax of 667 MHz (–40 C to 100 C Tj), 3.125 CoreMarks/MHz, 1.714 DMIPS/MHz,单误差修正双误差检测(SECDED)的L1存储器子系统,32KB 8路组相连的指令缓存和选择28KB紧密集成存储和32KB 8路组相连数据缓存.
此外还有存储器管理单元(MMU),物理存储器保护(PMP)单元,一个64位RV64IMAC监测处理器核, Fmax of 667 MHz (–40 C 到100 C Tj), 3.125 CoreMarks/MHz, 1.714 DMIPS/MHz.
16KB两路相连指令缓存,8KB便签存储器和PMP单元.
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
因为GaN晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小 80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。
MasterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻值(Rds(on))不相等，分别为225mΩ和 450mΩ,使其适用于软开关和有源整流变换器。
在MasterGaN5中,两个晶体管的导通电阻值(Rds(on))都是450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。
微处理器子系统具有64位RV64GC Quad应用处理器核,Fmax of 667 MHz (–40 C to 100 C Tj), 3.125 CoreMarks/MHz, 1.714 DMIPS/MHz,单误差修正双误差检测(SECDED)的L1存储器子系统,32KB 8路组相连的指令缓存和选择28KB紧密集成存储和32KB 8路组相连数据缓存.
此外还有存储器管理单元(MMU),物理存储器保护(PMP)单元,一个64位RV64IMAC监测处理器核, Fmax of 667 MHz (–40 C 到100 C Tj), 3.125 CoreMarks/MHz, 1.714 DMIPS/MHz.
16KB两路相连指令缓存,8KB便签存储器和PMP单元.
(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
公网安备44030402000607
