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双侧静电放电(ESD)保护机制16位ADC和16路扫描

发布时间:2021/9/8 6:51:41 访问次数:1247

LDMOS放大器所表现出的高阻抗水平有助于降低功率损耗。

因此,其只需要使用低得多的电流。而且其所需散发的热量也更少,因此可减少相关的散热管理开销并使系统的物料清单成本降至最少。

ART1K6PH (G)放大器均采用OMP-1230直引线封装或鸥翼封装,而ART1K6FH器件则采用SOT539AN封装。它们都包含双侧静电放电(ESD)保护机制。它们可用于包括等离子体发生器、核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器和粒子加速器在内的各种应用。其他可能的应用还包括广播和无线通信。

制造商:NXP 产品种类:CAN 接口集成电路 RoHS: 详细信息 系列:TJA1043 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:NXP Semiconductors 湿度敏感性:Yes 产品类型:CAN Interface IC 工厂包装数量:6000 子类别:Interface ICs 零件号别名:935303528518 单位重量:40.877 mg

超级电容器还可为物联网设备、智能仪表、医疗设备和工业计算等设备提供备用电源。

EFM32PG22 Gecko系列MCU是高效解劝方案,包含76.8MHz Cortex-M33 MCU和丰富模拟和通信外设,为消费类电子和工业应用提供业界一流效率MCU.

EFM32PG22的32位ARM® Cortex®-M33核具有76.8MHz最大工作频率,集成了多达512KB闪存和32KB RAM,低能耗工作:26 uA/MHz (EM0)和1.10 uA睡眠(EM2),具有信任根与安全加载程序(RTSL)的安全引导,16位ADC和16路扫描.

(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

LDMOS放大器所表现出的高阻抗水平有助于降低功率损耗。

因此,其只需要使用低得多的电流。而且其所需散发的热量也更少,因此可减少相关的散热管理开销并使系统的物料清单成本降至最少。

ART1K6PH (G)放大器均采用OMP-1230直引线封装或鸥翼封装,而ART1K6FH器件则采用SOT539AN封装。它们都包含双侧静电放电(ESD)保护机制。它们可用于包括等离子体发生器、核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器和粒子加速器在内的各种应用。其他可能的应用还包括广播和无线通信。

制造商:NXP 产品种类:CAN 接口集成电路 RoHS: 详细信息 系列:TJA1043 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:NXP Semiconductors 湿度敏感性:Yes 产品类型:CAN Interface IC 工厂包装数量:6000 子类别:Interface ICs 零件号别名:935303528518 单位重量:40.877 mg

超级电容器还可为物联网设备、智能仪表、医疗设备和工业计算等设备提供备用电源。

EFM32PG22 Gecko系列MCU是高效解劝方案,包含76.8MHz Cortex-M33 MCU和丰富模拟和通信外设,为消费类电子和工业应用提供业界一流效率MCU.

EFM32PG22的32位ARM® Cortex®-M33核具有76.8MHz最大工作频率,集成了多达512KB闪存和32KB RAM,低能耗工作:26 uA/MHz (EM0)和1.10 uA睡眠(EM2),具有信任根与安全加载程序(RTSL)的安全引导,16位ADC和16路扫描.

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