GaN宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程新的标准
发布时间:2021/8/31 22:32:24 访问次数:1773
连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
意法半导体的 MasterGaN 概念简化了GaN 宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。
新产品集成两个650V 功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。
制造商:Broadcom Limited产品种类:以太网 ICRoHS: 商标:Broadcom / Avago湿度敏感性:Yes产品类型:Ethernet ICs1子类别:Communication & Networking ICs单位重量:6.409 g制造商:Broadcom Limited产品种类:以太网 ICRoHS: 商标:Broadcom / Avago湿度敏感性:Yes产品类型:Ethernet ICs1子类别:Communication & Networking ICs单位重量:6.409 g
一系列车型将逐步获得更多先进功能。双方的合作计划将从2021年第四季度上市的搭载Mobileye®SupervisionTM的极氪001车型开始。
搭载该系统的车辆预计在2023年全球首秀，届时此项成果有望为全面的ADAS体验带来新的标准。
极氪对未来驾驶强有力的愿景，使其成为Mobileye理想的合作伙伴之一，通过加深紧密合作，双方有望将ADAS的产品体验提升到一个令人兴奋的新高度。我们也期待能为消费市场带来一款业界顶尖、具备全功能系统的高级驾驶辅助系统。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。
意法半导体的 MasterGaN 概念简化了GaN 宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。
新产品集成两个650V 功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。
制造商:Broadcom Limited产品种类:以太网 ICRoHS: 商标:Broadcom / Avago湿度敏感性:Yes产品类型:Ethernet ICs1子类别:Communication & Networking ICs单位重量:6.409 g制造商:Broadcom Limited产品种类:以太网 ICRoHS: 商标:Broadcom / Avago湿度敏感性:Yes产品类型:Ethernet ICs1子类别:Communication & Networking ICs单位重量:6.409 g
一系列车型将逐步获得更多先进功能。双方的合作计划将从2021年第四季度上市的搭载Mobileye®SupervisionTM的极氪001车型开始。
搭载该系统的车辆预计在2023年全球首秀，届时此项成果有望为全面的ADAS体验带来新的标准。
极氪对未来驾驶强有力的愿景，使其成为Mobileye理想的合作伙伴之一，通过加深紧密合作，双方有望将ADAS的产品体验提升到一个令人兴奋的新高度。我们也期待能为消费市场带来一款业界顶尖、具备全功能系统的高级驾驶辅助系统。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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