GOODRAM HX100移动固态硬盘的技术参数推动对车用半导体需求
发布时间:2021/8/31 21:58:48 访问次数:1753
随着汽车系统电气化、自动驾驶和互连趋势的发展，制造商希望为驾驶员提供他们寻求已久的高级功能和用户体验，这也推动了对车用半导体的需求。
这款内存专为 Intel Sapphire Rapids 与 AMD Zen4 Genoa 高性能处理器设计，频率为 DDR5-4800MHz，单条容量 16GB-32GB，且支持高阶抗硫化技术。
这些产品为电力电子系统设计人员提供了多种性能优势，包括接近于零的反向恢复电流、高浪涌保护能力和175°C的最大工作结温，因此它们非常适合需要提高效率、可靠性和简化热管理的应用。
制造商:Cypress Semiconductor产品种类:静态随机存取存储器RoHS: 存储容量:2 Mbit组织:128 k x 16访问时间:10 ns接口类型:Parallel电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:3 V电源电流—最大值:90 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-44封装:Tray存储类型:SDR系列:类型:Asynchronous商标:Cypress Semiconductor端口数量:1湿度敏感性:Yes产品类型:SRAM270子类别:Memory & Data Storage单位重量:453.250 mg
GOODRAM HX100 移动固态硬盘的技术参数：
总线接口：PCIe 3.0 x4
连接器：USB 3.2 Type-C 10Gbps
存储类型：TLC NAND 闪存颗粒
容量：256BG / 512GB / 1TB
顺序读取：最大 950 MB/s
顺序写入：最大 900 MB/s
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） 随着汽车系统电气化、自动驾驶和互连趋势的发展，制造商希望为驾驶员提供他们寻求已久的高级功能和用户体验，这也推动了对车用半导体的需求。
这款内存专为 Intel Sapphire Rapids 与 AMD Zen4 Genoa 高性能处理器设计，频率为 DDR5-4800MHz，单条容量 16GB-32GB，且支持高阶抗硫化技术。
这些产品为电力电子系统设计人员提供了多种性能优势，包括接近于零的反向恢复电流、高浪涌保护能力和175°C的最大工作结温，因此它们非常适合需要提高效率、可靠性和简化热管理的应用。
制造商:Cypress Semiconductor产品种类:静态随机存取存储器RoHS: 存储容量:2 Mbit组织:128 k x 16访问时间:10 ns接口类型:Parallel电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:3 V电源电流—最大值:90 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-44封装:Tray存储类型:SDR系列:类型:Asynchronous商标:Cypress Semiconductor端口数量:1湿度敏感性:Yes产品类型:SRAM270子类别:Memory & Data Storage单位重量:453.250 mg
GOODRAM HX100 移动固态硬盘的技术参数：
总线接口：PCIe 3.0 x4
连接器：USB 3.2 Type-C 10Gbps
存储类型：TLC NAND 闪存颗粒
容量：256BG / 512GB / 1TB
顺序读取：最大 950 MB/s
顺序写入：最大 900 MB/s
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） 
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