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N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极

发布时间:2021/8/31 18:40:01 访问次数:283

当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中,从而形成电流,使源极和漏极之间导通。

可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。

制造商:Texas Instruments产品种类:LCD 驱动器RoHS: 系列:最大时钟频率:1.38 MHz工作电源电压:1.8 V to 6 V电源电流—最大值:25 uAPd-功率耗散:3.3 W最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VQFN-24封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel工作温度范围:- 40 C to + 85 C产品:LCD Display Drivers商标:Texas Instruments湿度敏感性:Yes产品类型:LCD Drivers3000子类别:Driver ICs单位重量:45.400 mg

QCell技术的1600万像素消费类系列智能手机应用Cellphone Sensor (CS) Series图像传感器产品——SC1600CS,该产品作为思特威成功量产的首颗1.0μm像素尺寸CIS,力求为智能手机前置摄像头提供高品质的成像性能。

此次重磅发布的SC1600CS作为思特威首颗搭载QCell技术的高分辨率图像传感器,除16MP的影像模式外,更可支持4MP的QCell Bin影像输出模式,能够更好地适用于手机前置摄像头对于图像明亮度与色彩度的拍摄需求。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中,从而形成电流,使源极和漏极之间导通。

可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。

制造商:Texas Instruments产品种类:LCD 驱动器RoHS: 系列:最大时钟频率:1.38 MHz工作电源电压:1.8 V to 6 V电源电流—最大值:25 uAPd-功率耗散:3.3 W最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VQFN-24封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel工作温度范围:- 40 C to + 85 C产品:LCD Display Drivers商标:Texas Instruments湿度敏感性:Yes产品类型:LCD Drivers3000子类别:Driver ICs单位重量:45.400 mg

QCell技术的1600万像素消费类系列智能手机应用Cellphone Sensor (CS) Series图像传感器产品——SC1600CS,该产品作为思特威成功量产的首颗1.0μm像素尺寸CIS,力求为智能手机前置摄像头提供高品质的成像性能。

此次重磅发布的SC1600CS作为思特威首颗搭载QCell技术的高分辨率图像传感器,除16MP的影像模式外,更可支持4MP的QCell Bin影像输出模式,能够更好地适用于手机前置摄像头对于图像明亮度与色彩度的拍摄需求。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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