高性能FEM提供33dB的发射增益和14.5dB的接收增益NPN型PNP型
发布时间:2021/8/31 18:38:36 访问次数:195
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET）。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:参考电压 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:5 V 初始准确度:0.1 % 温度系数:20 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:20 V 分流电流—最大值:40 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 系列: 封装:Tube 商标:Analog Devices 关闭:No Shutdown 电源电流—最大值:225 uA 最大输出电压:5.005 V 工作电源电流:125 uA 产品类型:Voltage References 50 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:2 g
模块的功率放大器针对5V供电电压进行了优化，能在保持高线性输出功率和大吞吐量的同时节省功耗。此款高性能FEM提供33dB的发射增益和14.5dB的接收增益，噪声系数为1.9dB。
贸泽库存有各式各样的Qorvo Wi-Fi 6解决方案，为整个智能家居、办公大楼或户外空间提供更广阔的覆盖范围。
QCell Bin输出模式有赖于思特威创新的QCell技术，区别于传统拜耳像素阵列，该技术将4个拥有相同颜色的像素紧密排列，使其得以实现四合一Binning输出，可有效提升在夜景拍摄时的感光度、信噪比及动态范围。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET）。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
制造商:Analog Devices Inc. 产品种类:参考电压 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:5 V 初始准确度:0.1 % 温度系数:20 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:20 V 分流电流—最大值:40 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 系列: 封装:Tube 商标:Analog Devices 关闭:No Shutdown 电源电流—最大值:225 uA 最大输出电压:5.005 V 工作电源电流:125 uA 产品类型:Voltage References 50 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:2 g
模块的功率放大器针对5V供电电压进行了优化，能在保持高线性输出功率和大吞吐量的同时节省功耗。此款高性能FEM提供33dB的发射增益和14.5dB的接收增益，噪声系数为1.9dB。
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QCell Bin输出模式有赖于思特威创新的QCell技术，区别于传统拜耳像素阵列，该技术将4个拥有相同颜色的像素紧密排列，使其得以实现四合一Binning输出，可有效提升在夜景拍摄时的感光度、信噪比及动态范围。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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