为评估AA形状扭曲对器件性能的影响,我们用SEMulator3D建模了0.1,2.5和5度的侧壁裂角以模拟不同程度的AA扭曲,并使用来自全环路DRAM结构的单个器件进行了电气分析。

通过SEMulator3D分配电端口（源极、漏极、栅极和衬底)即可获得电气测量值,之后使用SEMulator3D内置漂移/扩散求解器即可计算不同程度AA扭曲可能导致的电气性能变化。

不同侧壁角度下鳍片的断态漏电流分布。可以看出，无论侧壁角度如何，大部分漏电流集中在鳍片的中心，它们远离栅极金属，栅极电场对其没有太大影响。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:整流器 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-41-2 Vr - 反向电压 :1 kV If - 正向电流:1 A 类型:Standard Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:1 V 最大浪涌电流:30 A Ir - 反向电流 :5 uA 恢复时间:2 us 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 175 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 高度:2.71 mm 长度:4.7 mm 产品:Rectifiers 端接类型:Axial 宽度:2.71 mm 商标:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量5000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:300 mg

除输入端低频端驻波略差外，其余均满足设计要求，因为Gysel的输入端外接有隔离器，对外围电路的稳定性不会有影响。

而S21和S31的幅值在-3.3 dB和-4.2 dB之间，很好地满足了带内起伏0.8 dB的设计要求。Z2优化后非常接近于50 Ω，因此只需对Z1和Z3的优化即可。

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