MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷的FAULT引脚
发布时间:2021/8/30 19:28:13 访问次数:427
集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.器件具有可编程软起动和延迟,可编输入欠压锁住阈值(UVLO),可编程的电源良好阈值,以及用于输出UVLO/输入UVLO报告的PWRGD引脚,而用于故障报告的FAULT引脚.
输入引脚的扩展范围很容易和微控制器,DSP单元和霍尔传感器接口.器件的工作温度为-40C 到125C.带滞后和下拉的3.3V到15V兼容的输入.
制造商: Rectron
产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关
RoHS: 详细信息
产品: Switching Diodes
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOD-123-2
峰值反向电压: 100 V
最大浪涌电流: 2 A
If - 正向电流: 300 mA
配置: Single
恢复时间: 4 ns
Vf - 正向电压: 25 V
Ir - 反向电流 : 1 uA
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Rectron
最大二极管电容: 2 pF
Pd-功率耗散: 400 mW
产品类型: Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量: 10000
子类别: Diodes & Rectifiers
典型的LLC串联谐振电路,感性负载下MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。
要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被完全释放干净。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.器件具有可编程软起动和延迟,可编输入欠压锁住阈值(UVLO),可编程的电源良好阈值,以及用于输出UVLO/输入UVLO报告的PWRGD引脚,而用于故障报告的FAULT引脚.
输入引脚的扩展范围很容易和微控制器,DSP单元和霍尔传感器接口.器件的工作温度为-40C 到125C.带滞后和下拉的3.3V到15V兼容的输入.
制造商: Rectron
产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关
RoHS: 详细信息
产品: Switching Diodes
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOD-123-2
峰值反向电压: 100 V
最大浪涌电流: 2 A
If - 正向电流: 300 mA
配置: Single
恢复时间: 4 ns
Vf - 正向电压: 25 V
Ir - 反向电流 : 1 uA
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Rectron
最大二极管电容: 2 pF
Pd-功率耗散: 400 mW
产品类型: Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量: 10000
子类别: Diodes & Rectifiers
典型的LLC串联谐振电路,感性负载下MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。
要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被完全释放干净。
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