峰值电流模式控制用于强健和快速线路与负于控制,突发模式基于输出电流估计值进入/退出操作,初级边输出过压保护,支持最低无负载待机功耗小于75mW.

可配置的缓升和低落保护,内置软起动,以及可配置小滞后的突发模式进入和退出,可配置过流保护和输出过压保护,可配置开关频率抖动,可配置传输延迟补偿以精确峰值电流控制,可配置跳周期的降频以改善低负载效率.

制造商: Renesas Electronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3P-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: mm

长度: mm

宽度: mm

商标: Renesas Electronics

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

单位重量: 1.600 g

主控模块通过RS232串口向客户系统收发数据或指令；

GSM无线模块采用的是WAVECOM公司的Q2403A模块。Q2403A模块主要由射频天线、内部Flash、SRAM、GSM基带处理器、匹配电源和一个60脚的插座组成。

主控模块自主或根据远程控制指令采取其他操作。

射频天线部分主要实现信号的调制与解调，以及外部射频信号与内部基带处理器之间的信号转换。匹配电源为处理器及射频部分提供所需的电源。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）