低边或高边或半桥驱动器用于对IGBT栅极电容进行充电和放电
发布时间:2021/8/29 10:46:22 访问次数:1062
在输入边接收3.3V到20V偏压和信号电平, 输出边高达32V偏压.器件的峰值输出电流为±6.5 A或, ±3.5 A.可配置成两路低边或两路高边或半桥驱动器.
可编重叠或死区时间控制,短路时IGBT/MOSFET栅极箝位,精密匹配的短时延,所有电源的严密UVLO阈值,3.3V,5V和15V逻辑输入.
1200V工作电压(per VDE0884−11规范),高共模瞬态免疫,满足汽车规范AEC−Q100和 PPAP功能,器件是无铅,无卤/无BFR,和RoHS兼容.
光耦合器用于在逆变器或电机驱动应用中提供高压增强的电绝缘和噪声隔离，通常可提供高输出电流的栅极驱动光耦合器通常用于对IGBT的栅极电容进行充电和放电，以将IGBT接通或关断。
很快。驱动更高功率的IGBT时，有时会使用电流缓冲器。
NCx5725y系列(NCD57252,NCD57253,NCD57255, NCD57256,NCV57252, NCV57253,NCV57255, NCV57256)是大电流两路隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器,输入到每个输出的内部电流为隔离2.5或5 kVrms,同时功能隔离在两个输出通路.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在输入边接收3.3V到20V偏压和信号电平, 输出边高达32V偏压.器件的峰值输出电流为±6.5 A或, ±3.5 A.可配置成两路低边或两路高边或半桥驱动器.
可编重叠或死区时间控制,短路时IGBT/MOSFET栅极箝位,精密匹配的短时延,所有电源的严密UVLO阈值,3.3V,5V和15V逻辑输入.
1200V工作电压(per VDE0884−11规范),高共模瞬态免疫,满足汽车规范AEC−Q100和 PPAP功能,器件是无铅,无卤/无BFR,和RoHS兼容.
光耦合器用于在逆变器或电机驱动应用中提供高压增强的电绝缘和噪声隔离，通常可提供高输出电流的栅极驱动光耦合器通常用于对IGBT的栅极电容进行充电和放电，以将IGBT接通或关断。
很快。驱动更高功率的IGBT时，有时会使用电流缓冲器。
NCx5725y系列(NCD57252,NCD57253,NCD57255, NCD57256,NCV57252, NCV57253,NCV57255, NCV57256)是大电流两路隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器,输入到每个输出的内部电流为隔离2.5或5 kVrms,同时功能隔离在两个输出通路.
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