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4.5A源电流和9A沉峰值电流的隔离双路栅极驱动器小型解决方案

发布时间:2021/8/28 23:22:59 访问次数:1822

USB 和 PoE 等有线标准提供方便弹性的选择,利用现成的 DC-DC 转换器、稳压器和保护装置来克服电源方面的难题。

NCP51561是分别具有4.5A源电流和9A沉峰值电流的隔离双路栅极驱动器,电流隔离为5 kVrms.

设计用来开速开关驱动功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶体管.器件提供短和匹配的传输时延.

从输入到每个输出的电流隔离为5 kVrms,而两个输出驱动器间的内部功能隔离允许工作电压高达1500VDC.该驱动器可配置成两个低边,两个高边开关或带可编死区时间的半桥驱动器.

制造商: Microchip

产品种类: 静态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

存储容量: 1 Mbit

组织: 128 k x 8

访问时间: 25 ns

最大时钟频率: 20 MHz

接口类型: SDI, SPI

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 2.5 V

电源电流—最大值: 10 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

封装: Tube

存储类型: SDR

系列: 23LCV1024

类型: Synchronous

商标: Microchip Technology

湿度敏感性: Yes

产品类型: SRAM

工厂包装数量: 100

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 540 mg

TPS543620是高效率4V-18V输入6A同步SWIFT降压转换器,具有内部补偿的固定频率先进电流模式控制,开关频率高达2.2MHz.器件是小型2.5-mmx3-mm HotRod VQFN封装,和高效率和高昂频率一起,使它最适合用在小型解决方案的地方.

其它特性还包括高精度基准电压,可选择软起动时间,单调起动进入预偏压输出,可选择电流限制,通过EN引脚可调UVLO和全套的故障保护.器件集成了25-mΩ和6.5-mΩ MOSFET,输入电压范围4V到18V,输出电压0.5V到5.5V,三种可选择PWM斜率,以优化控制回路性能.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

USB 和 PoE 等有线标准提供方便弹性的选择,利用现成的 DC-DC 转换器、稳压器和保护装置来克服电源方面的难题。

NCP51561是分别具有4.5A源电流和9A沉峰值电流的隔离双路栅极驱动器,电流隔离为5 kVrms.

设计用来开速开关驱动功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶体管.器件提供短和匹配的传输时延.

从输入到每个输出的电流隔离为5 kVrms,而两个输出驱动器间的内部功能隔离允许工作电压高达1500VDC.该驱动器可配置成两个低边,两个高边开关或带可编死区时间的半桥驱动器.

制造商: Microchip

产品种类: 静态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

存储容量: 1 Mbit

组织: 128 k x 8

访问时间: 25 ns

最大时钟频率: 20 MHz

接口类型: SDI, SPI

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 2.5 V

电源电流—最大值: 10 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

封装: Tube

存储类型: SDR

系列: 23LCV1024

类型: Synchronous

商标: Microchip Technology

湿度敏感性: Yes

产品类型: SRAM

工厂包装数量: 100

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 540 mg

TPS543620是高效率4V-18V输入6A同步SWIFT降压转换器,具有内部补偿的固定频率先进电流模式控制,开关频率高达2.2MHz.器件是小型2.5-mmx3-mm HotRod VQFN封装,和高效率和高昂频率一起,使它最适合用在小型解决方案的地方.

其它特性还包括高精度基准电压,可选择软起动时间,单调起动进入预偏压输出,可选择电流限制,通过EN引脚可调UVLO和全套的故障保护.器件集成了25-mΩ和6.5-mΩ MOSFET,输入电压范围4V到18V,输出电压0.5V到5.5V,三种可选择PWM斜率,以优化控制回路性能.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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