DC电流和电源电压由外部进行调整在数据中心网络和边沿计算
发布时间:2021/8/28 22:23:12 访问次数:183
ADCA3270是24V功率倍增放大器微波单片集成电路(MMIC),1218 MHz时的功率增益为25dB.
采用砷化镓(GaAs),高电子迁移率晶体管异质结构(pHEMT)和氮化镓(GaN) HEMT技术,进行先进的电路设计,器件的RF输出功率高达73 dBmV复合功率.
DC电流和电源电压可由外部进行调整,得到输出电平范围内的最佳失真性能和功率损耗.
ADCA3270提供高增益,简化了设计和制造DOCSIS 3.1基础设备.工作频率为45 MHz 到1218 MHz.器件可替代RFCM3327和RFCM3328.
制造商:Murata 产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 终端:Standard 电容:47 uF 电压额定值 DC:10 VDC 电介质:X7R 容差:10 % 外壳代码 - in:1210 外壳代码 - mm:3225 高度:2.5 mm 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 产品:General Type MLCCs 端接类型:SMD/SMT 长度:3.2 mm 封装 / 箱体:1210 (3225 metric) 类型:Chip Multilayer Ceramic Capacitor for General Purpose 宽度:2.5 mm 商标:Murata Electronics 类:Class 2 产品类型:Ceramic Capacitors 工厂包装数量1000 子类别:Capacitors 单位重量:110 mg
四核Arm* Cortex*-A53哈佛处理器系统,
封装内选择HBM2e存储器,
第二代Intel Hyperflex™核模块,
采用先进的Intel 10nm SuperFin技术.
Intel Agilex FPGAs 和SoC主要用在数据中心,网络和边沿计算.
ADCA3270是24V功率倍增放大器微波单片集成电路(MMIC),1218 MHz时的功率增益为25dB.
采用砷化镓(GaAs),高电子迁移率晶体管异质结构(pHEMT)和氮化镓(GaN) HEMT技术,进行先进的电路设计,器件的RF输出功率高达73 dBmV复合功率.
DC电流和电源电压可由外部进行调整,得到输出电平范围内的最佳失真性能和功率损耗.
ADCA3270提供高增益,简化了设计和制造DOCSIS 3.1基础设备.工作频率为45 MHz 到1218 MHz.器件可替代RFCM3327和RFCM3328.
制造商:Murata 产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 终端:Standard 电容:47 uF 电压额定值 DC:10 VDC 电介质:X7R 容差:10 % 外壳代码 - in:1210 外壳代码 - mm:3225 高度:2.5 mm 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 产品:General Type MLCCs 端接类型:SMD/SMT 长度:3.2 mm 封装 / 箱体:1210 (3225 metric) 类型:Chip Multilayer Ceramic Capacitor for General Purpose 宽度:2.5 mm 商标:Murata Electronics 类:Class 2 产品类型:Ceramic Capacitors 工厂包装数量1000 子类别:Capacitors 单位重量:110 mg
四核Arm* Cortex*-A53哈佛处理器系统,
封装内选择HBM2e存储器,
第二代Intel Hyperflex™核模块,
采用先进的Intel 10nm SuperFin技术.
Intel Agilex FPGAs 和SoC主要用在数据中心,网络和边沿计算.
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