续流 SiC肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中，在dv/dt和di/dt值几乎不变情况下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。

与标准的硅二极管解决方案相比，新产品可降低多达 60% 的 Eon和30%的Eoff。

或者，也可在输出功率保持不变情况下，提高开关频率至少40%。较高的开关频率有助于缩小无源元件的尺寸，进而降低物料清单成本。

Hybrid IGBT直接替代TRENCHSTOP5 IGBT,无需重新设计,便能使每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VQFN-HR-9

拓扑结构: Buck

输出电压: 0.4 V to 5.5 V

输出电流: 1 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 17 V

最小输入电压: 3 V

静态电流: 8 mA

开关频率: 1 MHz, 2.5 MHz

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

系列: TPS62901

封装: Cut Tape

封装: Reel

输入电压: 3 V to 17 V

类型: Step-Down DC-DC converter

商标: Texas Instruments

关闭: Shutdown

湿度敏感性: Yes

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 3000

子类别: PMIC - Power Management ICs

电源电压-最小: 3 V

EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。

在CoolSiC Easy模块中，该新型AIN陶瓷可帮助提高输出功率或降低结温，进而可以延长系统寿命。

此产品系列可作为纯硅解决方案和高性能SiC MOSFET设计之间的另一种选择，与纯硅设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性。

全频段多频多模功率放大器可极大降低移动射频设备的设计复杂度并缩短其开发周期.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）