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TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧瞬态峰值额定值为1千伏

发布时间:2021/8/21 23:39:15 访问次数:362

900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧,瞬态峰值额定值为1千伏,现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。

开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布,该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。

TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧,瞬态峰值额定值为1千伏,现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 电池管理

RoHS: 详细信息

系列: BQ77905

封装: Tube

商标: Texas Instruments

湿度敏感性: Yes

产品类型: Battery Management

工厂包装数量: 70

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 77.200 mg

在仪器上禁用Autoset自动设置、Cursors光标和自动测量等功能,学生可以学习基础概念,了解怎样使用水平和垂直控制功能获得波形,怎样使用格线测量时间、电压,怎样手动绘图/计算信号特点。

低延迟、低功耗传输解决方案将均衡器、电缆驱动器和时钟数据恢复集成到单一芯片中,使摄像机和采集卡制造商能够通过单一同轴电缆提供高速、高分辨率视频和控制信号以及电源供应。

单芯片物理层接口器件,在实现工厂车间CoaXPress(CXP)全部潜力方面又迈出新步伐。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧,瞬态峰值额定值为1千伏,现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。

开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布,该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。

TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧,瞬态峰值额定值为1千伏,现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 电池管理

RoHS: 详细信息

系列: BQ77905

封装: Tube

商标: Texas Instruments

湿度敏感性: Yes

产品类型: Battery Management

工厂包装数量: 70

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 77.200 mg

在仪器上禁用Autoset自动设置、Cursors光标和自动测量等功能,学生可以学习基础概念,了解怎样使用水平和垂直控制功能获得波形,怎样使用格线测量时间、电压,怎样手动绘图/计算信号特点。

低延迟、低功耗传输解决方案将均衡器、电缆驱动器和时钟数据恢复集成到单一芯片中,使摄像机和采集卡制造商能够通过单一同轴电缆提供高速、高分辨率视频和控制信号以及电源供应。

单芯片物理层接口器件,在实现工厂车间CoaXPress(CXP)全部潜力方面又迈出新步伐。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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