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内置了栅极保护二极管作为防静电措施安全传感器等SIL级应用

发布时间:2021/8/21 18:22:48 访问次数:250

2种MOSFET新产品--XP22x系列(20V耐压).

产品是具有低导通电阻和高速开关特性的通用MOSFET产品。可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。

封装组件均采用了小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723(1.2 x 1.2 x h0.5mm),推动机器小型化。

56F83xxx系列新增8个汽车级产品, 命名为56F837xxA系列。

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    RS-232接口集成电路    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    SSOP-20    

系列:    MAX3222    

功能:    Transceiver    

数据速率:    250 kb/s    

激励器数量:    2 Driver    

接收机数量:    2 Receiver    

双工:    Full Duplex    

电源电压-最大:    5.5 V    

电源电压-最小:    3 V    

工作电源电流:    1 mA    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

高度:   1.95 mm    

长度:   7.2 mm    

产品:   RS-232 Transceivers    

电源类型:   Single Supply    

宽度:   5.3 mm    

商标:   Texas Instruments    

关闭:   With Shutdown    

工作电源电压:   3.3 V, 5 V    

产品类型:   RS-232 Interface IC    

工厂包装数量:   2000    

子类别:   Interface ICs    

单位重量:  156.700 mg  

新一代200V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平,高压AC / DC转换器的理想功率器件。

其栅极电荷(QG)较基准硅MOSFET器件小十倍,并且与所有eGaN FET一样,没有反向恢复电荷(QRR),从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真,以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

除了安全传感器等SIL级的应用外,还可以用于一般的工厂自动化和过程控制设备,如可编程逻辑控制器(PLC)、I/O外设和计算机数控(CNC)机床。



(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

2种MOSFET新产品--XP22x系列(20V耐压).

产品是具有低导通电阻和高速开关特性的通用MOSFET产品。可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。

封装组件均采用了小型SOT-523 (1.6 x 1.6 x h0.9mm)、SOT-723(1.2 x 1.2 x h0.5mm),推动机器小型化。

56F83xxx系列新增8个汽车级产品, 命名为56F837xxA系列。

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    RS-232接口集成电路    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    SSOP-20    

系列:    MAX3222    

功能:    Transceiver    

数据速率:    250 kb/s    

激励器数量:    2 Driver    

接收机数量:    2 Receiver    

双工:    Full Duplex    

电源电压-最大:    5.5 V    

电源电压-最小:    3 V    

工作电源电流:    1 mA    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

高度:   1.95 mm    

长度:   7.2 mm    

产品:   RS-232 Transceivers    

电源类型:   Single Supply    

宽度:   5.3 mm    

商标:   Texas Instruments    

关闭:   With Shutdown    

工作电源电压:   3.3 V, 5 V    

产品类型:   RS-232 Interface IC    

工厂包装数量:   2000    

子类别:   Interface ICs    

单位重量:  156.700 mg  

新一代200V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器,以及多电平,高压AC / DC转换器的理想功率器件。

其栅极电荷(QG)较基准硅MOSFET器件小十倍,并且与所有eGaN FET一样,没有反向恢复电荷(QRR),从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真,以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

除了安全传感器等SIL级的应用外,还可以用于一般的工厂自动化和过程控制设备,如可编程逻辑控制器(PLC)、I/O外设和计算机数控(CNC)机床。



(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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