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IPS161HF可以安全地驱动另一端接地的复杂阻性容性和感性负载

发布时间:2021/8/21 18:15:02 访问次数:229

IPS160HF和IPS161HF,其导通延迟时间小于60μs,能够满足SIL Class-3的C、D类接口应用的标准要求。

这两款产品具有8V-60V的宽输入电压范围,120mΩ的最大开关导通电阻(RDS(on)) ,10μs的电压上升/下降时间,20μs的传输延迟,兼具灵活性、低耗散功率和快速响应。

升级的诊断功能可以指示开路负载,过流关断和过热关闭,简化安全需求型的功能设计。

IPS160HF和IPS161HF可以安全地驱动另一端接地的复杂阻性、容性和感性负载,如电磁阀、继电器和灯具。

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    RS-232接口集成电路    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSSOP-28    

系列:    MAX3237E    

数据速率:    1000 kb/s    

激励器数量:    5 Driver    

接收机数量:    3 Receiver    

电源电压-最大:    5.5 V    

电源电压-最小:    3 V    

工作电源电流:    2 mA    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

封装:    Reel    

商标:   Texas Instruments    

工作电源电压:   3.3 V, 5 V    

产品类型:   RS-232 Interface IC    

工厂包装数量:   2000    

子类别:   Interface ICs    

单位重量:  117.500 mg  

两款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高而同时成本更低,目前已有供货。

采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔,包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器(MPPT),DC/DC转换器(硬开关和谐振式),及多电平高压转换器。

EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%,而性能却倍增。

与基准硅器件相比,这两款氮化镓器件的性能更高.EPC2215的导通阻抗降低33%,但尺寸却缩小15倍。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

IPS160HF和IPS161HF,其导通延迟时间小于60μs,能够满足SIL Class-3的C、D类接口应用的标准要求。

这两款产品具有8V-60V的宽输入电压范围,120mΩ的最大开关导通电阻(RDS(on)) ,10μs的电压上升/下降时间,20μs的传输延迟,兼具灵活性、低耗散功率和快速响应。

升级的诊断功能可以指示开路负载,过流关断和过热关闭,简化安全需求型的功能设计。

IPS160HF和IPS161HF可以安全地驱动另一端接地的复杂阻性、容性和感性负载,如电磁阀、继电器和灯具。

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    RS-232接口集成电路    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSSOP-28    

系列:    MAX3237E    

数据速率:    1000 kb/s    

激励器数量:    5 Driver    

接收机数量:    3 Receiver    

电源电压-最大:    5.5 V    

电源电压-最小:    3 V    

工作电源电流:    2 mA    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

封装:    Reel    

商标:   Texas Instruments    

工作电源电压:   3.3 V, 5 V    

产品类型:   RS-232 Interface IC    

工厂包装数量:   2000    

子类别:   Interface ICs    

单位重量:  117.500 mg  

两款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高而同时成本更低,目前已有供货。

采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔,包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器(MPPT),DC/DC转换器(硬开关和谐振式),及多电平高压转换器。

EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%,而性能却倍增。

与基准硅器件相比,这两款氮化镓器件的性能更高.EPC2215的导通阻抗降低33%,但尺寸却缩小15倍。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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