功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。

GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。  

GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限，可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 模数转换器 - ADC

RoHS: 详细信息

系列: ADS7951

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-30

分辨率: 12 bit

通道数量: 8 Channel

接口类型: SPI

采样比: 1 MS/s

输入类型: Single-Ended

结构: SAR

模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V

数字电源电压: 1.7 V to 5.25 V

SNR – 信噪比: 71.7 dB

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

封装: Reel

高度: 1.15 mm

长度: 7.8 mm

转换器数量: 1 Converter

功耗: 11.5 mW

宽度: 4.4 mm

商标: Texas Instruments

参考类型: External

DNL - 微分非线性: - 2 /1.5 LSB

INL - 积分非线性: +/- 1.5 LSB

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 2.7 V to 5.25 V

产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 71.3 dB

工厂包装数量: 2000

子类别: Data Converter ICs

单位重量: 97.500 mg

监测切削液健康状态，并自动进行杀菌、过滤等处理。

在这些应用中，采用了自连科技的全场景工业物联网解决方案的ALXE10B边缘计算盒子通过工业接口连接传感器，在获取监测数据后传递到云平台。

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）