B外壳代码和C外壳代码器件超高容量Vishay成熟的SuperTan®技术
发布时间:2021/8/18 22:25:31 访问次数:592
B和C外壳新产品，扩充其EP1湿钽电容器，满足国防和航空航天应用的需求。
电容器每款电压等级和外形尺寸器件的容量达到业内最高水平，提供径向通孔或表面贴装端头，有A、B和C三种外壳代码，每种均可选择螺栓固定，从而提高了设计灵活性。
增强型EP1采用Vishay成熟的SuperTan®技术，B外壳代码和C外壳代码器件超高容量分别达到3,600 μF~40,000 μF和5,300 μF~58,000 μF。
电容器标准电容公差为± 20 %，同时提供公差为± 10 %的产品。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
RoHS: 详细信息
系列: ADS8342
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TQFP-48
分辨率: 16 bit
通道数量: 4 Channel
接口类型: Parallel
采样比: 250 kS/s
输入类型: Single-Ended
结构: SAR
模拟电源电压: 4.75 V to 5.25 V
数字电源电压: 2.7 V to 5.5 V
SNR – 信噪比: 86 dB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 7 mm
转换器数量: 1 Converter
功耗: 208 mW
宽度: 7 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External
开发套件: ADS8342EVM
DNL - 微分非线性: +/- 2 LSB
INL - 积分非线性: +/- 6 LSB
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 4.75 V to 5.25 V
Pd-功率耗散: 250 mW
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 84.6 dB
工厂包装数量: 250
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 137.400 mg
当它执行命令时，DDR3L将停止所有操作，并切换至最少量活动的状态，以节省功耗。
温度自动刷新：启动后，内置于DRAM芯片的温度传感器将控制刷新频率，在保证数据不丢失的情况下降低工作温度，从而降低功耗。
可选择只刷新部分逻辑Bank，最大限度减少因刷新而产生的电力消耗，以达到降低功耗的目的。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
B和C外壳新产品，扩充其EP1湿钽电容器，满足国防和航空航天应用的需求。
电容器每款电压等级和外形尺寸器件的容量达到业内最高水平，提供径向通孔或表面贴装端头，有A、B和C三种外壳代码，每种均可选择螺栓固定，从而提高了设计灵活性。
增强型EP1采用Vishay成熟的SuperTan®技术，B外壳代码和C外壳代码器件超高容量分别达到3,600 μF~40,000 μF和5,300 μF~58,000 μF。
电容器标准电容公差为± 20 %，同时提供公差为± 10 %的产品。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
RoHS: 详细信息
系列: ADS8342
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TQFP-48
分辨率: 16 bit
通道数量: 4 Channel
接口类型: Parallel
采样比: 250 kS/s
输入类型: Single-Ended
结构: SAR
模拟电源电压: 4.75 V to 5.25 V
数字电源电压: 2.7 V to 5.5 V
SNR – 信噪比: 86 dB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 7 mm
转换器数量: 1 Converter
功耗: 208 mW
宽度: 7 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External
开发套件: ADS8342EVM
DNL - 微分非线性: +/- 2 LSB
INL - 积分非线性: +/- 6 LSB
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 4.75 V to 5.25 V
Pd-功率耗散: 250 mW
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 84.6 dB
工厂包装数量: 250
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 137.400 mg
当它执行命令时，DDR3L将停止所有操作，并切换至最少量活动的状态，以节省功耗。
温度自动刷新：启动后，内置于DRAM芯片的温度传感器将控制刷新频率，在保证数据不丢失的情况下降低工作温度，从而降低功耗。
可选择只刷新部分逻辑Bank，最大限度减少因刷新而产生的电力消耗，以达到降低功耗的目的。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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