EasyDUAL 1B封装的导通电阻(R DS(on))为11mΩ的副边电流
发布时间:2021/8/18 19:23:46 访问次数:700
EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。
该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS(on)）为6 mΩ。
EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。
由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R thJH）最多可以降低40%。
制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:33 ARds On-漏源导通电阻:44 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:47.3 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:3.8 W通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:4.4 mm长度:10 mm晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm商标:Infineon / IR产品类型:MOSFET800子类别:MOSFETs单位重量:4 g
扩大的原边负电流限制范围带来更多的灵活性，使用一个典型的变压器线圈匝数比就可以获得适合的副边电流。
变换器的软启动可以设置,能够工作可靠性,还为原边恒流保护提供逐脉冲电流检测功能。
300ns预设电流检测消隐时间可以过滤变压器漏感产生的振荡，确保芯片在高边开关通断期间具有更高的稳定性。
芯片内置过压保护和热关断保护，外部有时钟同步和开关频率设置引脚。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。
该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS(on)）为6 mΩ。
EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。
由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R thJH）最多可以降低40%。
制造商:Infineon产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:33 ARds On-漏源导通电阻:44 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:47.3 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:3.8 W通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:4.4 mm长度:10 mm晶体管类型:1 N-Channel宽度:9.25 mm商标:Infineon / IR产品类型:MOSFET800子类别:MOSFETs单位重量:4 g
扩大的原边负电流限制范围带来更多的灵活性，使用一个典型的变压器线圈匝数比就可以获得适合的副边电流。
变换器的软启动可以设置,能够工作可靠性,还为原边恒流保护提供逐脉冲电流检测功能。
300ns预设电流检测消隐时间可以过滤变压器漏感产生的振荡，确保芯片在高边开关通断期间具有更高的稳定性。
芯片内置过压保护和热关断保护，外部有时钟同步和开关频率设置引脚。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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