高热性能和电气性能的Nexperia LFPAK56E铜夹片技术封装
发布时间:2021/8/18 13:28:56 访问次数:154
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100 V器件为7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
对于100 V器件，NextPower技术还提供44 nC的极低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干扰。总体而言，100 V器件的Qrr品质因数平均比竞争对手同类产品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高热性能和电气性能的Nexperia LFPAK56E铜夹片技术封装。器件广泛适用于开关应用，包括AC/DC、DC/DC和电机控制等。
Exos CORVAULT 自愈块存储系统。这款智能大容量存储产品的一大特点，就是能够简化数据管理、并减少宏观边缘与数据中心环境的人工干预。除了极高的存储密度，Exos CORVAULT 新品还提供了 SAN 级别的性能，结合第六代 VelosCT ASIC、ADAPT 纠删码数据保护、以及自发性重建等功能。CORVAULT 基于希捷 Exos 4U106 12 Gb/s 平台而设计，提供了高达”五个九”(99.999%)的可靠性。在最大的 4U 机箱外形下，它能够在 7 英寸(18 厘米)的机架空间中容纳多达 106 块驱动器。
内部FPGA编程能力的客户进行编程，从而保留了硬件投资，并支持DevOps思维以实现功能的敏捷性。BittWare.com/IA-220-U2。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100 V器件为7 mΩ，而新器件只有4.3 mΩ，效率大大提高。
对于100 V器件，NextPower技术还提供44 nC的极低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干扰。总体而言，100 V器件的Qrr品质因数平均比竞争对手同类产品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高热性能和电气性能的Nexperia LFPAK56E铜夹片技术封装。器件广泛适用于开关应用，包括AC/DC、DC/DC和电机控制等。
Exos CORVAULT 自愈块存储系统。这款智能大容量存储产品的一大特点，就是能够简化数据管理、并减少宏观边缘与数据中心环境的人工干预。除了极高的存储密度，Exos CORVAULT 新品还提供了 SAN 级别的性能，结合第六代 VelosCT ASIC、ADAPT 纠删码数据保护、以及自发性重建等功能。CORVAULT 基于希捷 Exos 4U106 12 Gb/s 平台而设计，提供了高达”五个九”(99.999%)的可靠性。在最大的 4U 机箱外形下，它能够在 7 英寸(18 厘米)的机架空间中容纳多达 106 块驱动器。
内部FPGA编程能力的客户进行编程，从而保留了硬件投资，并支持DevOps思维以实现功能的敏捷性。BittWare.com/IA-220-U2。
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