Global Shutter由于pixel结构和工艺的复杂性，尤其是大版面的Global Shutter 技术更具有设计挑战性，因此过去主要为国外技术所垄断。

Voltage Domain SmartGS®技术，实现了业界首家BSI/3D stack BSI Global Shutter 图像传感器的研发和量产，凭借第一代SmartGS®技术在感度、宽动态、短曝光时间控制等方面的突破性优势，思特威目前已跃居国内Global Shutter CIS出货量龙头地位。

STM32开发人员可以使用Microsoft Azure RTOS(实时操作系统)开发嵌入式项目.

制造商:Littelfuse 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 产品类型:TVS Diodes 极性:Bidirectional 工作电压:40 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC-2 击穿电压:44.4 V 钳位电压:64.5 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):400 W Vesd - 静电放电电压触点:30 kV Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV Ipp - 峰值脉冲电流:6.2 A 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Littelfuse Pd-功率耗散:3.3 W 工厂包装数量5000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes Vf - 正向电压:3.5 V 单位重量:61 mg

在ITS夜晚影像拍摄中常会遇到拍摄画面因覆盖交通信号灯而出现“红绿灯过曝泛白”的现象，面对这一问题，SC910GS与SC410GS创新性地采用区域HDR技术，在信号灯区域与其他区域采用不同的曝光时间进行成像，动态范围提升了24dB.

从而保证路面车辆/人脸信息清晰的同时信号灯的正常成像及可识别性。

此外，区域HDR技术还可在不增加额外功耗的同时保持高帧率，使ITS摄像头能够自如应对日夜工作下的全天光线变化，提升场景适用性。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）